在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。超纯金属是相对高纯度的金属,一般指金属纯度达到纯度9以上的金属,物理杂质的概念才是有意义的。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键
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在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。超纯金属是相对高纯度的金属,一般指金属纯度达到纯度9以上的金属,物理杂质的概念才是有意义的。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外,薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大,过99.995%(4N5)纯度的铜靶,或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求,但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。

但是靶材制作困难,这是因为氧化铟不容易烧结在一起。一般采用ZrO2、Bi2O3、CeO等作为烧结添加剂,能够获得密度为理论值的93%~98%的靶材,这种方式形成的ITO薄膜的性能与添加剂的关系极大。日本的科学家采用Bizo作为添加剂,Bi2O3在820Cr熔化,在l500℃的烧结温度超出部分已经挥发,这样能够在液相烧结条件下得到比较纯的ITO靶材。熔盐电解法为连续性生产过程,产量较大,设备简单,成本较低,但电解槽需用耐高温氯化物或氟化物腐蚀的结构材料制造。而且所需要的氧化物原料也不一定是纳米颗粒,这样可以简化前期的工序。

工业上大量使用的是工业纯稀土金属,较高纯度的稀土金属主要供测定物理化学性能之用。主要有四种提纯方法在试验室中使用,即真空熔融,真空蒸馏或升华,电迁移和区域熔炼。 稀土金属棒在区域熔炼炉中以很慢的速度(如提纯钇时为0.4毫米/分),进行多次区熔,对去除铁、铝、镁、铜、镍等金属杂质有明显效果,但对氧、氮、碳、氢无效。当仅仅将由金属氧化物组成的无机填料(D)作为填料与橡胶组分(A)混合时,导电橡胶能够得到降低色粉的物理粘附力的效果,但是不能将色粉充电至较高程度,因此不能提供足够的打印密度。此外,电解精炼、区熔-电迁移联合法提纯稀土也有一定效果。

什么是靶材绑定?靶材绑定的适用范围、流程?
绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要有三种的方式:压接、钎焊和导电胶。
1.压接:采用压条,一般为了提高接触的良好性,会增加石墨纸、Pb或In皮;
2.钎焊:一般使用软钎料的情况下,要求溅射功率小于20W/cm2,钎料常用In、Sn、In-Sn;我司采用铟焊绑定技术。
3.导电胶:采用的导电胶要耐高温,厚度在0.02-0.05um。

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