在该产业早期，由于技术和设备都被日美企业掌握，国内并没有掌握相关技术和设备来生产芯片，所以只能从事 LED 下游产业。随着技术的升级，一些低端的 LED芯片生产技术被国内企业掌握，再加上的大力支持，所以在 2000年开始国内出现了大量 LED 芯片企业。
国内 LED 芯片企业蕞早的一批应该算是1993年2月成立的南昌欣磊光电科技有限公司了，早期生产的大部分都是如下图
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在该产业早期，由于技术和设备都被日美企业掌握，国内并没有掌握相关技术和设备来生产芯片，所以只能从事 LED 下游产业。随着技术的升级，一些低端的
LED芯片生产技术被国内企业掌握，再加上的大力支持，所以在 2000年开始国内出现了大量 LED 芯片企业。
国内 LED 芯片企业蕞早的一批应该算是1993年2月成立的南昌欣磊光电科技有限公司了，早期生产的大部分都是如下图的发光二极管，一般用于指示灯。
而国内高亮度 LED 芯片企业从 1999年前后才开始雨后春笋般的出现了，下一篇将从1999年开始回顾下大陆 LED 芯片产业的激荡二十年！看看这二十年中那些企业消失在了历史的长河中，而那些企业能够越做越大做到基业长青！
LED大功率芯片一般指多的芯片
用于白光的LED大功率
芯片一般在市场上可以看到的都在40mil左右，所谓的大功率芯片的使用功率一般是指电功率在1W以上。
由于量i子效率一般小于20%大部分电能会转换成热能，所以大功率芯片的散热很重要，要求芯片有较大的面积。
制造GaN外延材料的芯片工艺和加工设备与GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求为什么
普通的LED红黄芯片和高亮四元红黄芯片的基板都采用GaP、GaAs等化合物半导体材料，一般都可以做成N型衬底。
采用湿法工艺进行光刻，较为后用金刚砂轮刀片切割成芯片。
GaN材料的蓝绿芯片是用的蓝宝石衬底，由于蓝宝石衬底是绝缘的，所以不能作为LED的一个极，必须通过干法刻蚀的工艺在外延面上同时制作P/N两个电极并且还要通过一些钝化工艺。由于蓝宝石很硬，用金刚砂轮刀片很难划成芯片。
它的工艺过程一般要比GaP、GaAs材料的LED多而复杂。
在
LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
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