市场
目前，光刻胶单一产品市场规模与海外巨头公司营收规模相比较小，光刻胶仅为大型材料厂商的子业务。但由于光刻胶技术门槛高，就某一光刻胶子行业而言，仅有少数几家供应商有产品供应。
由于光刻胶产品技术要求较高，光刻胶市场基本由外资企业占据，国内企业市场份额不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻胶，其核心技术基本被日本和美国企业所垄断，产品也基本出自日本和美国公
NR73G 6000P光刻胶公司
市场
目前，光刻胶单一产品市场规模与海外巨头公司营收规模相比较小，光刻胶仅为大型材料厂商的子业务。但由于光刻胶技术门槛高，就某一光刻胶子行业而言，仅有少数几家供应商有产品供应。
由于光刻胶产品技术要求较高，光刻胶市场基本由外资企业占据，国内企业市场份额不足40%，高分辨率的KrF和ArF光刻胶，其核心技术基本被日本和美国企业所垄断，产品也基本出自日本和美国公司，包括陶氏化学、JSR株式会社、信越化学、东京应化工业、Fujifilm，以及韩国东进等企业。A可以考虑使用Futurrex，正型光阻PR1，负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。
而细化到半导体用光刻胶市场，国内企业份额不足30%，与国际水平存在较大差距。超过80%市场份额掌握在日本住友、TOK、美国陶氏、美国futurrex等公司手中，国内公司中，苏州瑞红与北京科华实现了部分品种的国产化，但是整体技术水平较低，仅能进入8英寸集成电路生产线与LED等产线。正胶PR1-2000A1技术资料正胶PR1-2000A1是为曝光波长为365或者436纳米，可用于晶圆步进器、扫描投影对准器、近程打印机和接触式打印机等工具。
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二、预烘和底胶涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）
由于光刻胶中含有溶剂，所以对于涂好光刻胶的硅片需要在80度左右的。硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性、通常大约100 °C。这是与底胶涂覆合并进行的。
底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用: (HMDS)、在PR旋转涂覆前HMDS蒸气涂覆、PR涂覆前用冷却板冷却圆片。
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光刻胶存储条件及操作防护
光刻胶是一种可燃液体，储存条件应符合对应的法规，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，操作后清洗。
个人防护
眼睛：佩戴化学飞溅护目镜。
皮肤：戴上适当的防护手套防止皮肤暴露。
服装：穿戴合适的防护服防止皮肤暴露。
呼吸器：无论何时在工作环境下呼吸保护必须遵循职业安全健康管理局标准的规定和ANSI美国学会Z88.2的相关要求，或必须执行欧洲呼吸防护EN 149的标准。
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PR1-2000A1 试验操作流程
PR1-2000A1的厚度范围可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm为列；
1,静态滴胶后以1300转/分速度持续40秒。同时必须需要在1秒内达到从0转/分到1300转/分的升速度；
2，前烘：热板120度120秒；
3，冷却至室温；
4，用波长为365,406,436的波长曝光，
5，在温度为20-25度，使用RD6浸泡式、喷雾、显影 ；
6，去除光刻胶，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。
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