光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。此外，由于光刻加工分辨率直
NR9 3000P光刻胶公司
光刻胶的应用
光刻胶的应用
1975年，美国的国际半导体设备与材料协会首先为微电子工业配套的超净高纯化学品制定了国际统一标准——SEMI标准。1978年，德国的伊默克公司也制定了MOS标准。两种标准对超净高纯化学品中金属杂质和(尘埃)微粒的要求各有侧重，分别适用于不同级别IC的制作要求。其中，SEMI标准更早取得世界范围内的普遍认可。此外，由于光刻加工分辨率直接关系到芯片特征尺寸大小，而光刻胶的性能关系到光刻分辨率的大小。
光刻胶工艺
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex 的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。常规光刻胶涂布工序的优化需要考虑滴胶速度、滴胶量、转速、环境温度和湿度等，这些因素的稳定性很重要。
NR77-20000PYNR9 3000P光刻胶公司
光刻胶存储条件及操作防护
光刻胶是一种可燃液体，储存条件应符合对应的法规，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，操作后清洗。
个人防护
眼睛：佩戴化学飞溅护目镜。
皮肤：戴上适当的防护手套防止皮肤暴露。
服装：穿戴合适的防护服防止皮肤暴露。
呼吸器：无论何时在工作环境下呼吸保护必须遵循职业安全健康管理局标准的规定和ANSI美国学会Z88.2的相关要求，或必须执行欧洲呼吸防护EN 149的标准。
NR77-20000PMSDS
光刻胶运输标识及注意事项
标签上标明的意思
R标识
R10 YI燃。
S标识
S16远离火源-禁止吸烟。
S 24避免接触皮肤。
S 33对静电放电采取预防措施。
S 9将容器保持在通风良好的地方。
水生毒性
通过自然环境中的化学、光化学和微生物降解来分解。一般不通过水解降解。300 ppm对水生生物是安全的。卤化反应可能发生在水环境中。
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