下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年全
NR9 3000P光刻胶厂家
下游发展趋势
光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。EUV光刻光路基于反射设计，不同于上一代的折射，其所需光刻胶主要以无机光刻胶为主，如金属氧化物光刻胶。光刻工艺的成本约为整个芯片制造工艺的35%，并且耗费时间约占整个芯片工艺的40%到50%。光刻胶材料约占IC制造材料总成本的4%，市场巨大。因此光刻胶是半导体集成电路制造的核心材料。2016年半导体用光刻胶及配套材料市场分别达到14.5亿美元和19.1亿美元，分别较2015年同比增长9.0%和8.0%。预计2017和2018年半导体用光刻胶市场将分别达到15.3亿美元和15.7亿美元。随着12寸技术节点生产线的兴建和多次曝光工艺的大量应用，193nm及其它光刻胶的需求量将增加
光刻胶：用化学反应进行图像转移的媒介
光刻胶具有光化学敏感性，其经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将设计好的微细图形从掩膜版转移到待加工基片。
光刻胶和集成电路制造产业链的前端的即为光刻胶化学品，生产而得的不同类型的光刻胶被应用于消费电子、家用电器、信息通讯、汽车电子、航空航天等在内的各个下游终端领域，需求较为分散。
光刻胶基于应用领域不同一般可以分为半导体集成电路（IC）光刻胶、 PCB光刻胶以及LCD光刻胶三个大类。其中， PCB光刻胶占市场24.5%，半导体IC光刻胶占市场24.1%，LCD光刻胶占市场26.6%。
光刻胶国内研发现状
“造成与国际水平差距的原因很多。按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13。过去由于我国在开始规划发展集成电路产业上，布局不合理、不完整，特别是生产加工环节的投资，而忽视了重要的基础材料、装备与应用研究。目前，整个产业是中间加工环节强，前后两端弱，核心技术至今被TOK、JSR、住友化学、信越化学等日本企业所垄断。
光刻胶的主要技术指标有解析度、显影时间、异物数量、附着力、阻抗等。每一项技术指标都很重要，必须全部指标达到才能使用。因此，国外企业在配方、生产工艺技术等方面，对长期保密。的研发技术有待进一步发展
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