编辑：TH
MT3516A
三相整流方桥
型号：MT3516A
：ASEMI
封装：D-63
特性：三相整流方桥
电性参数：35A1600V
芯片材质：GPP
正向电流(Io)：35A
芯片个数：4
正向电压(VF)：1.05V
芯片尺寸：180
浪涌
电源三相整流桥GPP芯片
编辑：TH
MT3516A
三相整流方桥
型号：MT3516A
：ASEMI
封装：D-63
特性：三相整流方桥
电性参数：35A1600V
芯片材质：GPP
正向电流(Io)：35A
芯片个数：4
正向电压(VF)：1.05V
芯片尺寸：180
浪涌电流Ifsm：500A
漏电流(Ir)：500uA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：500ns
引线数量：5
镭射激光打标，不易褪色；环氧树脂塑封，绝缘稳定性好
框架引脚采用无氧铜材料，内阻小导电性好，镀锡防氧化
26MT120 MT 系列 1200V25A
三相 桥式功率模块
D-63封装
制造商ASEMI
标准包装 20/盒装
优势特点：
1. 玻封GPP工艺芯片，密封性可靠性好，防止电性出现衰降情况
2. 镭射激光打标，不易褪色防止翻新；环氧塑脂塑封稳定性好
3. 5层大瓦楞牛皮纸箱，4道禁锢带保护，耐压可重复利用
应用范围：
电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品
三相整流桥扁桥D50XT80，5只引脚
ASEMI原装，生产有效率，订单交期快，解决货期长，生产低效率问题
电性参数： 正向电流值：50A ； 反向耐压值 ：800V
4只GPP 硅芯片，芯片尺寸大至200mil，高抗浪涌，散热性好，防热击穿。
ASEMI原装，本系列其他产品 D50XT100、D50XT120、D50XT160。采用波峰GPP大芯片，参数离散性一致，质量高稳定性和可靠性。
大功率整流桥D50XT160 三相，替代台半， 日本新电元同型号参数。
ASEMI
封装 DXT-5
温度-55~+150℃
芯片材质 GPP硅
正向平均电流 50Amp
峰值反向耐压 1600V
浪涌电流IFSM 500A
三相整流桥由三对反串联的二极管并联组成，使用三相电压，直流输出电压为交流输入电压的2.34倍。
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