光刻胶分类
市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。
按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；②
NR75 1000HP光刻胶公司
光刻胶分类
市场上，光刻胶产品依据不同标准，可以进行分类。依照化学反应和显影原理分类，光刻胶可以分为正性光刻胶和负性光刻胶。使用正性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相同；使用负性光刻胶工艺，形成的图形与掩膜版相反。
按照感光树脂的化学结构分类，光刻胶可以分为①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生成自由基，进一步引发单体聚合，后生成聚合物，具有形成正像的特点；②光分解型，采用含有叠氮醌类化合物的材料，其经光照后,发生光分解反应，可以制成正性胶；三、光刻胶涂覆（PhotoresistCoating）光刻胶涂覆通常的步骤是在涂光刻胶之前，先在900-1100度湿氧化。③光交联型，采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料，在光的作用下，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，可以制成负性光刻胶。
按照曝光波长分类，光刻胶可分为紫外光刻胶（300~450nm）、深紫外光刻胶（160~280nm）、极紫外光刻胶（EUV，13.5nm）、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。不同曝光波长的光刻胶，其适用的光刻极限分辨率不同，通常来说，在使用工艺方法一致的情况下，波长越小，加工分辨率越佳。2μm产地型号厚度耐热温度应用Futurrex美国PR1-500A0。
市场规模
半导体产业稳定增长，半导体产业向转移。据WSTS和SIA统计数据，2016年半导体市场规模为1659.0亿美元，增速达9.2%，大于增长速度（1.1%）。2016年半导体制造用光刻胶市场规模为19.55亿元，其配套材料市场规模为20.24亿元。预计2017和2018年半导体制造用光刻胶市场规模将分别达到19.76亿元和23.15亿元，其配套材料市场规模将分别达到22.64亿元和29.36亿元。在28nm生产线产能尚未得到释放之前，ArF光刻胶仍是市场主流半导体应用广泛，需求增长持续性强。近些年来，半导体厂商在大陆投设多家工厂，如台积电南京厂、联电厦门厂、英特尔大连厂、三星电子西安厂、力晶合肥厂等。光刻胶的目标厚度的确定主要考虑胶自身的化学特性以及所要图形中线条的及间隙的微细程度。诸多半导体工厂的设立，也拉动了国内半导体光刻胶市场需求增长。
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光刻胶编码
HS编码:
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3707100001 [类注] | [章注] | [子目注释]
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中文描述:
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不含银的感光乳液剂 （CIQ码：301:液体）
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英文描述:
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Non--0--silver light-sensitive emulsion agent
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申报要素:
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0.类型；1.出口享惠情况；2.用途；3.包装；4.成分；5.是否含银；6.；7.型号；8.是否有感光作用（以下要素仅上海海关要求）9.GTIN；10.CAS
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申报要素举例:
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/ 1.感光剂；2.用途:感光材料，用于喷墨制版机；3.包装:瓶装；江苏博砚电子科技有限公司董事长宗健表示，光刻胶要真正实现国产化，难度很大。4.成分:重氮树脂94%以上；5.无；6.无型号
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单位:
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千克
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（作者： 来源：）
