光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半
PR1 2000A1光刻胶厂家
光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的，由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；2010年到2015年期间，国际光刻胶市场年复合增长率约为5。同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
NR9-3000PYPR1 2000A1光刻胶厂家
四、前烘（Soft Bake）
完成光刻胶的涂抹之后，需要进行软烘干操作，这一步骤也被称为前烘。前烘能够蒸发光刻胶中的溶剂溶剂、能使涂覆的光刻胶更薄。
在液态的光刻胶中，溶剂成分占65％－85％。虽然在甩胶之后，液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍有10％－30％的溶剂，容易沾污灰尘。通过在较高温度下进行烘培，可以使溶剂从光刻胶中挥发出来（前烘后溶剂含量降至5％左右），从而降低了灰尘的沾污。同时，这一步骤还可以减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶 衬底上的附着性。为了提高曝光系统分辨率的性能，Futurrex的光刻胶正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。
在前烘过程中，由于溶剂挥发，光刻胶厚度也会减薄，一般减薄的幅度为10％－20％左右。
PC6-16000
NR9-3000PY 相对于其他光刻胶具有如下优势：
- 优异的分辨率性能
- 地显影
- 可以通过调节曝光能量很容易地调节倒梯形侧壁的角度
- 耐受温度100℃
- 室温储存保质期长达3 年
NR9-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR9-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR9-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR9-6000PY 5.0μm -
12.2μm
Resist Thickness
NR71-1000PY 0.7μm - 2.1μm
NR71-1500PY 1.1μm - 3.1μm
NR71-3000PY 2.1μm - 6.3μm
NR71-6000PY 5.0μm - 12.2μm
NR9-3000PY
11．请教~有没有同时可以满足RIE
process 和Lift-off
process的光阻，谢谢！
A 我们推荐使用Futurrex
NR1-300PY来满足以上工艺的需求。
12．Futurre光刻胶里，有比较容易去除的负光阻吗？
A NR9-系列很容易去除，可以满足去胶需要。
13．我们目前用干膜做窄板，解析度不够，希望找到好的替代光阻？
A NR9-8000因为有很高的AR比例，适合取代，在凸块的应用上也有很大的好处。
14．传统的Color
filter 制程，每个颜色的烘烤时间要2-3个小时，有没有更快的方法制作Coior
filter
A 用于Silylation制程------烘烤时间只需要2分钟，同时光阻不需要Reflow, 颜色也不会老化改变，只需要在Filter上面加热溶解PR1-2000S光阻，Microlenses就能形成！
15．请问有专门为平坦化提供材料的公司吗？
A 美国Futurrex公司，专门生产应用化学品的，可以为平坦化的材料提供PC3-6000和PC4-1000都是为平坦化用途设计，台湾企业用的比较多。
16．我需要一种可用于钢板印刷的方式来涂布PROTECTIVE
COATING，那种适合？？
A 推荐美国Futurrex，PC4-10000。
17．腊是用来固定芯片的，但很难清洗干净，哪里有可以替代的产品介绍下，谢谢？
A 我们公司是使用Futurrex
PC3-6000,可以替代的，而且去除比较容易，你可以试用下。
18．请问有没有100微米厚衬底为镀镍硅并可用与MEMS应用的光刻胶吗？
A NR4-8000P可以做到140微米的厚度，并在镀镍的衬底上不会出现难去胶的问题，如果是其他非镀镍衬底NR9-8000P是适合的选择。
19．谁有用在光波导图案的光刻胶？是否可以形成角度为30度的侧壁？
A 你必须实现通过逐步透光来实现掩膜图案棱的印刷，NR4-8000P是专门为光波导图案应用进行设计的产品。
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