LED外延片工艺流程
LED 外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
led外延片批发
LED外延片工艺流程
LED 外延片工艺流程如下：
衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；
外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级
具体介绍如下：
固定：将单晶硅棒固定在加工台上。
切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。
倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。
分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。
研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。
清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。
RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。
LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有比较重要的影响
一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，
LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
二次封装LED主要可用于哪些方面
二次封装
LED主要可用于以下几个方面：
(1)应用于广场、公园地下 由于二次封装LED防护等级达到高的IP68，可用于地下、水下等恶劣环境，被广泛的应用于广场、公园、河道等场所的景观用灯。如武汉的江滩公园玻璃广场地下景观及显示屏照明、杭州西城广场地下灯光带、鄂尔多斯草坪造型照明、诸暨浦阳江河道照明等。照明设计师在设计广场、公园、河道等场所照明时，可以利用二次封装LED该特性，改变传统景观照明设计的局限性，创意出更好的景观照明作品。
(2)应用于桥梁照明 因二次封装LED点光源外形超薄、材质透明、体积小、重量轻、软线连接的特点，当在桥梁上使用时，与传统的LED数码管和传统的LED点光源相比，不会破坏桥梁的白天效果，非常适合像桥梁这种安装维护难度较高的环境。如：青岛丹山大桥、绍兴常禧桥、南通怡桥。
(3)应用于楼体轮廓及立面幕墙 以往幕墙照明是一个难以解决的灯照明设计课题，二次封装LED的面世，了这一难题，其安装灵活、防水性好、安全节能，是幕墙节点安装的理想灯具。利用电脑控制，设计成广告显示屏形式，既可以作为外墙景观照明的一部分，也可以作为广告显示屏使用。
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