MBR30100CT肖特基二极管台湾ASEMI
编辑：LX
MBR30100CT肖特基二极管，台湾ASEMI，电性参数为30A 100V，ASEMI产品表面采用激光镭射印字打标，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料，引脚厚度升级，厚度达0.41mm；所用的框架、环氧塑封胶以及无铅焊片、后端引线电镀都是采用环保进口材料，保证出厂合格率。
肖特基二极管正负
MBR30100CT肖特基二极管台湾ASEMI
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MBR30100CT肖特基二极管，台湾ASEMI，电性参数为30A 100V，ASEMI产品表面采用激光镭射印字打标，黑胶材质是采用进口环氧塑脂材料，引脚厚度升级，厚度达0.41mm；所用的框架、环氧塑封胶以及无铅焊片、后端引线电镀都是采用环保进口材料，保证出厂合格率。
12年来，ASEMI凭借矢志不移的信念和孜孜不倦的态度，ASEMI坚持只做原装进口ASEMI，在电子行业这一个发展的领域中留下了一个又一个属于我们的脚印，也留下了一个又一个的成就,也使得ASEMI被越来越多的内外客户接受认可和追捧。
ASEMI低压降肖特基15V45
ASEMI半导体15V45是一款采用277封装的低压降肖特基产品，这款产品的设计优势对于体积大幅压缩，有效缩小应用产品的体积空间。ASEMI半导体15V45压降控制在0.38V的压降是应用在高频率充电器产品的较好选择。目前市面上已经有华为、小米等公司的充电器产品采用此款封装的低压降肖特基二极管成功应用案例。高超的工艺与电性表现使得ASEMI半导体15V45低压降二极管行业持续高增。
ASEMI肖特基MBR60200PT
编辑：LX
ASEMI肖特基MBR60200PT的外观，本节我们以它为列，通过讲解其各项参数，会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解，为了更直观方便的说明，我们以MBR60200PT的规格书为模板进行解说：
下图截取的就是肖特基MBR60200PT参数页面文档，我们会自上而下逐条讲解每个参数所代表的意义及作用
Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重复峰值电压
Average Rectified Forward Current ——平均整流正向电流
Typical Thermal Resistance (per leg)——典型热阻（每条腿)
Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌电流
Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重复浪涌电流
Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——电压变化率（额定VR）
Operating Junction Temperature—— 工作温度
Storage Temperature ——储存温度
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