3、技术指标
* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
* 3.2 机台可测IGBT项目
及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压
VCES集射极截止电压
ICES集射极截止电流
VCE(sat)饱和导通压降
Iges栅极漏电流
VF二极管导通电压
可以测5000V,1600A以下的IGBT模块
* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、B
轨道交通用IGBT测试仪现货供应
3、技术指标
* 3.1 机台可测试器件类型 二极管、MOSFET、IGBT单管及模组
* 3.2 机台可测IGBT项目
及测试范围 VGE(th)栅极阈值电压
VCES集射极截止电压
ICES集射极截止电流
VCE(sat)饱和导通压降
Iges栅极漏电流
VF二极管导通电压
可以测5000V,1600A以下的IGBT模块
* 3.3 机台可测MOS项目 Vf、Vdsat、IGSS、Vgth、BVdss、Rds(on)、Gfs
3.4
测试项目 测量范围 测试条件与精度
*
3.5 VGE(th)
栅极阈值电压 0.1～10V VGE：0.1～10V±1%±0.01V；
解析度：0.01V
集电极电流Ic：
10～50mA±1%±0.5mA；由于科技进步，电力电子装置对轻薄短小及之要求,带动MOSFET及IGBT的发展，尤其应用于电气设备、光电、航天、铁路、电力转换。
50～200mA±1%±1mA；
200～1000mA±1%±2mA；
如何检测元件有老化的现象？
半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。
何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？
中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。数据采集后，后台软件自动及时绘出相应图表，以方便现场判断使用。
欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？
当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。
IGBT半导体器件测试系统的主要应用领域概括如下：
半导体元器件检测中心——应用本公司测试系统可扩大检测中心的检测范围、提高检测效率，提升检测水平，增加经济效益；
半导体元器件生产厂 —— 应用本公司测试系统可对半导体元器件生产线的成品进行全参数的测试、筛选、分析，以确保出厂产品的合格率；
电子电力产品生产、检修厂——应用本公司测试系统可对所应用到的半导体元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
航天、领域 ——— 应用本公司测试系统可对所应用到的元器件，尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析，以确保出厂产品的稳定性、可靠性；
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