方箱PECVD简介
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.极限真空度：≤6.67x10-
气相化学沉积设备公司
方箱PECVD简介
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到
（采用分子泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子
泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；
6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；
7. 沉积工作真空：13-1300Pa；
8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
9.射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，全自动匹配；
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
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化学气相沉积的特点
化学气相沉积法之所以得到发展，是和它本身的特点分不开的，其特点如下。
I) 沉积物种类多: 可以沉积金属薄膜、非金属薄膜，也可以按要求制备多组分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物层。
2) CVD反应在常压或低真空进行，镀膜的绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔都能均匀镀覆。
3) 能得到纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好的薄膜镀层。由于反应气体、反应产物和基体的相互扩散，可以得到附着力好的膜层，这对表面钝化、抗蚀及等表面增强膜是很重要的。
4) 由于薄膜生长的温度比膜材料的熔点低得多，由此可以得到纯度高、结晶完全的膜层，这是有些半导体膜层所必须的。
5) 利用调节沉积的参数，可以有效地控制覆层的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度等。
6) 设备简单、操作维修方便。
7) 反应温度太高，一般要850~ 1100℃下进行，许多基体材料都耐受不住CVD的高温。采用等离子或激光辅助技术可以降低沉积温度。
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等离子体化学气相沉积的化学反应
以下内容由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供，希望对同行业的朋友有所帮助。
等离子体内的化学反应
由于辉光放电过程中对反应气体的激励主要是电子碰撞，因此等离子体内的基元反应多种多样的，而且等离子体与固体表面的相互作用也非常复杂，这些都给PECVD技术制膜过程的机理研究增加了难度。迄今为止，许多重要的反应体系都是通过实验使工艺参数较优化，从而获得具有理想特性的薄膜。化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：（1）形成挥发性物质。对基于PECVD技术的硅基薄膜的沉积而言，如果能够深刻揭示其沉积机理，便可以在保证材料优良物性的前提下，大幅度提高硅基薄膜材料的沉积速率。
化学气相沉积的过程介绍
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