华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。（3）设备的功能特点
1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-2004
轨道交通用IGBT测试仪批发
华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。（3）设备的功能特点
1）各种数据以图形方式在检测时实时显示与记录。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-2004 电器设备安全技术规范
GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件
GB/T 2423 电工电子产品环境试验
GB/T 3797-2005 电气控制设备
GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用
GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则
GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制
GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器
GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
3、系统基本参数
3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加热功能：室温～150℃；
3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；
3.4 环境温度：25℃±15℃；
3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A 感性负载；
4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；
4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic, 电感值（自动计算脉宽）；
4.6 双电流脉冲的设置： Vcc, Ic, 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；
（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（感性动态测试）。
安全工作区测试负载电感
电感量 1mH 、10mH、50mH、100mH
电流 通过选择不同档位电感，满足0~200A电流输出需求（10ms）
瞬态电压 大于10kV
负载电感 配备自动切换开关，可分别接通不同电感值，由计算机控制自动接通；自动切换开关参数性能需求与电感要求相匹配。
5）补充充电回路限流电感
限制充电回路中的di/dt。
电感量 100μH
电流能力 6000A （5ms）
瞬时耐压 10kV
工作温度室温～40℃
工作湿度 <70%
4验收和测试
1)验收由双方共同参加，按照技术规范书的技术要求逐项完成所有测试项，检验单元是否功能、模块完整、正常运行。由卖方现场安装、测试，买方确认测试合格通过后完成验收。
2)卖方负责组织和实施整个单元的组装、调试、系统集成工作；负责免费培训并提供培训教材。001～10V
集电极电流ICE：
0-1600A 集电极电压VCEs：
0。培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。
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