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如图所示，ASEMI肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其
常用肖特基二极管
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如图所示，ASEMI肖特基二极管解剖图放大后的芯片附近，在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
ASEMI肖特基二极管参数的研发拓展：
ASEMI研制的MBR60100PT MBR60150PT MBR60200PT，是专门为在输出12V~24V的SMPS中替代高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的大电流高频率型SBD，起始电压比业界居水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值为0.47V)，导通电阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值为40mΩ)，导通损耗低0.18W(典型值为1.14W)。
快恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下.因此相比较之下，ASEMI肖特基二极管与快恢复二极管各有各的优势，两者互相弥补，成就了ASEMI整流12年的佳话！
肖特基二极管
优点：
1. 正向压降小 ： 通常0.4V左右
2. 反向恢复时间极短: 可达5纳秒
3. 大的正向电流: 1A---300A之间
缺点：
1.反向工作电压VR低: 通常200V以下
2.漏电流稍大些 : 仅有10mA
例1：B82-400
1.反向工作电压VRRM:40V
2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)
3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=5A
5.浪涌电流IFSM=100A(T=10ms)
例2：1N5817,1N5818,1N5819
1.反向工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V
2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)
3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=1A
5.浪涌电流IFSM=25A(T=10ms)
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