（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vg
变频器用IGBT测试仪价格
（2）主要技术参数
1）基本参数
功率源： 5000V 1200A
2）栅极-发射极漏电流IGES
IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA
集电极电压VCE： 0V
栅极电压Vge： 0-40V±3%±0.1V
3）集电极-发射极电压
集电极电压VCES： 100-5000V±2%±10V
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压Vge： 0V
4）集电极-发射极饱和电压VCESat
VCESat：0.2-5V
栅极电压Vge： ±15V±2%±0.2V
集电极电流ICE： 10-1200A±2%±1A
5）集电极-发射极截止电流ICES
集电极电压VCE： 100-5000V±3%
集电极电流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA
栅极电压VGE： 0V
6）栅极-发射极阈值电压
VGEth： 1-10V±2%±0.1V
Vce： 12V
集电极电流ICE： 30mA±3%
7）二极管压降测试
VF： 0-5V±2%±0.01V
IF： 0-1200A±2%±1A
Vge： 0V
测量目的：对模块的电压降参数进行检测, 可判断模块是否处于正常状态。1~1ms可设定
4）栅极漏电流测试电路栅极漏电流测试电路
。
功率模块的VCE-IC特性曲线会随着器件使用年限的增加而变化，饱和压降Vcesat会逐渐劣化。因此，定期检测可预防发现功率模块故障。且变流器由多个模块组成，由于个体差异，大电流情况下的参数也会存在个体差异。因此，测量大电流情况下的各个模块实际技术参数，进行跟踪管理，可有效保障机车中间直流环节可靠运行。
IGBT模块VCE-IC特线（单管），Vcesat随电流变大而增大。
如何检测元件有老化的现象？
半导体元件有许多参数都很重要，有些参数如：放大倍率，触发参数，闩扣，保持参数，崩溃电压等，是提供给工程师在设计电路时的依据，在检测元件是否有老化的现象时，仅须测量导通参数及漏电流二项即可。将量测的数据与其出厂规格相比较，就可判定元件的好坏或退化的百分比。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。
何谓半导体元件的参数？对元件使用上有何重要性？
中大功率的元件仅在功能上的完好是不够的，因其必须承受规格上的电压与电流，在某条件下，承受度的数据便称为此元件的参数。若元件的工作条件超过其参数数据，元件可能会立刻烧毁或造成性的损坏。
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