磁控溅射的种类介绍
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按
真空磁控溅射镀膜设备厂家
磁控溅射的种类介绍
磁控溅射包括很多种类。各有不同工作原理和应用对象。但有一共同点：利用磁场与电场交互作用，使电子在靶表面附近成螺旋状运行，从而增大电子撞击气产生离子的概率。所产生的离子在电场作用下撞向靶面从而溅射出靶材。
靶源分平衡式和非平衡式，平衡式靶源镀膜均匀，非平衡式靶源镀膜膜层和基体结合力强。平衡靶源多用于半导体光学膜，非平衡多用于磨损装饰膜。磁控阴极按照磁场位形分布不同，大致可分为平衡态磁控阴极和非平衡态磁控阴极。磁控溅射“磁控反应”介绍磁控反应溅射绝缘体看似容易，而实际操作困难。平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加了碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高。
但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小。非平衡磁控溅射技术，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片磁控溅射区域的等离子体密度和气体电离率。不管平衡还是非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。旋转磁场多用于大型或贵重靶，如半导体膜溅射。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。
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自动磁控溅射系统概述
带有水冷或者加热(可加热到700度)功能，大到6'旋转平台，可支持到4个偏轴平面磁控管。系统配套涡轮分子泵，极限真空可达10-7 Torr，15分钟内可以达到10-6 Torr的真空。通过调整磁控管与基片之间的距离，可以获得想要的均匀度和沉积速度。一个靶枪配套的是直流电源，用于导电材料的溅射镀膜2：该镀膜仪可以制备多种不同材料的薄膜，应用非常广泛。
带有14”立方形不锈钢腔体，4个2”的磁控管，DC直流和RF射频电源。 在选配方面，350 l/s涡轮分子泵，额外的磁控管和衬底加热功能。
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磁控溅射镀膜机的特点
擅长生长高质量的薄膜或是超薄 膜, 金属与绝缘材料.保证 的抽气速度, 与友厂对比,氢和氧的污染系数好数十倍. 可制作与外延类似的薄膜..烘烤时可把磁铁拆下以保护磁铁不退磁. 客户可选择 RHEED, 在磁铁拆下时可检测样品薄膜的质量. Sputter 24 均匀性及重现性非常出色, 可以使用DC, RF, 脉冲直流电源. 标准材料与磁性材料均可使用. 可安排成共溅射与垂直溅射, 根据需求设计安装.
与激光加热器联用可变为反应型磁控溅射, 可成长氧化物薄膜与氮化物薄膜等. 正下方可安装一只离子源, 可以提供样品清洗与辅助镀膜.
期望大家在选购磁控溅射产品时多一份细心，少一份浮躁，不要错过细节疑问。想要了解更多磁控溅射产品的相关资讯，欢迎拨打图片上的热线电话！！！
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