华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试
封装用IGBT测试仪加工
华科智源IGBT测试仪针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。培训后，应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试，并能解决实际工程问题。
华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。1电压源：220VAC±10%，50Hz/60Hz20ARMS。
GB/T 29332-2012 半导体器件分立器件第9 部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
GB 13869-2008 用电安全导则
GB19517-2004 电器设备安全技术规范
GB 4208-2008 外壳防护等级（IP 代码）（IEC 60529：2001，IDT）
GB/T 191-2008 包装储运图示标志
GB/T 15139-1994 电工设备结构总技术条件
GB/T 2423 电工电子产品环境试验
GB/T 3797-2005 电气控制设备
GB/T 4588.3-2002 印制板的设计和使用
GB/T 9969-2008 工业产品使用说明书总则
GB/T 6988-2008 电气技术用文件的编制
GB/T 3859.3 半导体变流器变压器和电抗器
GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电路第2 部分:整流二极管
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。买方有权要求卖方委托第三方进行有关参数的测试，以确保出厂测试的参数真实有效。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。
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