光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后NR9-3000PY显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。AFuturrex,NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。和其他胶相比NR9i-3000PY有
NR9 3000PY光刻胶公司
光刻胶
北京赛米莱德贸易有限公司供应美国Futurrex新型lift-off光刻胶NR9-3000PY，此款负胶的设计适用于比较宽的波长范围和i线（366纳米）曝光工具。当显影后NR9-3000PY显示出负的侧壁角度，是lift-off工艺中比较简易的光刻胶。AFuturrex,NR4-8000P比干膜，和其他市面上的湿膜更加适合，和理想。和其他胶相比NR9i-3000PY有下面的优势：
光刻的工序
下面我们来详细介绍一下光刻的工序：
一、清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除颗粒、减少其它缺陷，提高光刻胶黏附性
基本步骤：化学清洗——漂洗——烘干。
自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如：美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术、美国原CFM公司推出的Full-Flow systems封闭式溢流型清洗技术、美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger Mach2清洗系统）、美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304 DSS清洗系统）、 日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平、以HF / O3为基础的硅片化学清洗技术。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的产品。
NR9-3000PY
四、
