3.6 VCES
集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES：
0.01～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～50mA±1%±0.1mA；
集电极电压VCES：
0-5000V±1.5%±2V；
*
3.7 ICES
集射极截止电流 0.01～50mA
集电极电压VCES：
50～500V±2%±1V；
500～5000V±1.5%±2V；
检修用IGBT测试仪厂家
3.6 VCES
集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES：
0.01～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～50mA±1%±0.1mA；
集电极电压VCES：
0-5000V±1.5%±2V；
*
3.7 ICES
集射极截止电流 0.01～50mA
集电极电压VCES：
50～500V±2%±1V；
500～5000V±1.5%±2V；
集电极电流ICES：
0.001～1mA±3%±0.001mA；
1～10mA±2%±0.01mA；
10～150mA±1%±0.1mA；华科智源IGBT电参数测试仪，可用于多种封装形式的IGBT的测试，还可以测量大功率二极管、IGBT模块、大功率IGBT、大功率双极型晶体管等器件的VI特性测试，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析。
*
3.8 VCE(sat)
饱和导通压降 0.001～10V
集电极电流ICE：
0-1600A 集电极电压VCEs：
0.001～10V±0.5%±0.001V
栅极电压Vge：
5～40V±1%±0.01V
集电极电流ICE：
0～100A±1%±1A；
100～1600A±2%±2A；
*
3.9 Iges
栅极漏电流 0.01～10μA
栅极漏电流IGEs：
0.01～10μA±2%±0.005μA
栅极电压Vge：
±1Ｖ～40V±1%±0.1V；
Vce=0V；
* 3.10 VF
正向特性测试 0.1～5V 二极管导通电压Vf：
0.1～5V±1%±0.01V
电流IF：
0～100A±2%±1A；
100～1600A±1.5%±2A；
3、系统基本参数
3.1 电 压 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；
3.2 加热功能：室温～150℃；
3.3 测试功能：可测试IGBT模块及FRD；
3.4 环境温度：25℃±15℃；
3.5 环境湿度：50% ±20% （相对湿度）
4、动态测试基本配置
4.1 集电级电压 Vcc： 50 ~ 1000V；
4.2 集电极电流 Ic： 50 ~ 1000A 感性负载；
4.3 电流持续时间 It： 10 ~ 1000 us 单个脉冲或双脉冲的总时间； 4.4 脉 冲 模 式： 单脉冲和双脉冲；
4.5 单电流脉冲的设置： Vcc，Ic, 电感值（自动计算脉宽）；
4.6 双电流脉冲的设置： Vcc, Ic, 电感值，间隙时间（10到50us）(脉宽自动计算)；
（开启Qrr测试：第二个脉宽＝间隙时间，10~50us）；
4.7 设备寄生电感 Lint: < 65nH（感性动态测试）。
7、测量配置
7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；
7.2 高速电流探头；
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；
8.2 关断：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；
8.3 反向恢复 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；
8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；
8.5 短路（1200Ａmax）；
8.6 雪崩；
8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；
8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。
14）工控机及操作系统
用于控制及数据处理，采用定制化系统，主要技术参数要求如下：
机箱：4Μ 15槽上架式机箱；
支持ATX母板；
CPΜ：INTEL双核；
主板：研华SIMB；
硬盘：1TB；内存4G；
3个5.25”和1个3.5”外部驱动器；
集成VGA显示接口、4个PCI接口、6个串口、6个ΜSB接口等。
西门子PLC逻辑控制
15）数据采集与处理单元
-->
