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硅锭生长需要大块的纯净多晶硅，将这些块状物连同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩埚中，这称为掺杂。加入的掺杂剂使那些长大的硅锭表现出所需要的电特性。普通的掺杂剂是硼、磷、砷和锑。TI的RFAB、TSMC12厂5期和UMC12A厂3/4期(前12B厂)以及三星的6生产线和IM在新加坡的闪存工厂。因使用的掺杂剂不同，会成为一个P型或N型的硅锭（P型/硼，N型/磷、锑、砷）。
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双面抛光以外，抛光将使晶圆片的一面象镜面一样。抛光面用来生产电路，这面必须没有任何突起、微纹、划痕和残留损伤。
由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。半导体通过控制电流来管理数据，形成各种文字、数字、声音、图象和色彩。
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