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标牌曝光显影工艺
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曝光显影的意思是：一种将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。通常所指蚀刻也称光化学蚀刻，通过曝光显影后，在摄影过程中进入镜头照射在感光元件上的光量，由光圈、快门、感光度的组合来控制。在烘干的绝缘介质层表面上的光量应在200至250之间，其曝光时间可由光梯尺表等试验或供应商提供的条件进行和调整，一般应采用较大曝光量和较短时间曝光。标牌曝光显影工艺
曝光显影之影响曝光质量的因素有哪些下面我们就来给给大家详细说明：曝光显影之曝光定位讲解曝光显影之曝光定位介绍：目视定位适用于重氮照相底法。重氮底片呈棕色或橘红色的半透明状态，但不透紫外光，透过重氮图像使底片的焊盘与印制电路板的孔重合对准，然后贴上胶带贴牢，即可进行曝光。光源的选择要求是干膜光谱吸收主峰与光源发射主峰重叠或大部分重叠。曝光时间的控制曝光时间是影响干膜图像非常重要的因素。曝光不足，抗蚀膜聚合不够，显影时胶膜溶胀、变软，线条不清晰，色泽暗淡，甚至脱胶;曝光过度，将产生显影困难，胶膜发脆，余胶等问题。标牌曝光显影工艺
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