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博罗充电器三相整流桥6级能效优惠报价「强元芯电子」

编辑:TH MT3516A 三相整流方桥 型号:MT3516A :ASEMI 封装:D-63 特性:三相整流方桥 电性参数:35A1600V 芯片材质:GPP 正向电流(Io):35A 芯片个数:4 正向电压(VF):1.05V 芯片尺寸:180 浪涌
充电器三相整流桥6级能效











编辑:TH




MT3516A

三相整流方桥

型号:MT3516A

:ASEMI

封装:D-63

特性:三相整流方桥

电性参数:35A1600V

芯片材质:GPP

正向电流(Io):35A

芯片个数:4

正向电压(VF):1.05V

芯片尺寸:180

浪涌电流Ifsm:500A

漏电流(Ir):500uA

工作温度:-55~+150℃

恢复时间(Trr):500ns

引线数量:5

镭射激光打标,不易褪色;环氧树脂塑封,绝缘稳定性好

框架引脚采用无氧铜材料,内阻小导电性好,镀锡防氧化










ASAEMIMT5010A单相整流方桥

参数规格:

电流:50A;

电压:1000V;


正向电流(Io):50A




盒装:20PCS/盒。

MT5010A是整流桥中的三相整流桥,和一般的整理桥堆不一样,体积较大,但也正因为它的大体积,因此电流电压参数较高,50A1000V,多用于大电流的产品。应用领域:三相交流用电设备,马达,电焊机,发电机,变频器












三相全波整流桥不需要输入电源的零线(中性线)。整流桥堆一般用在全波整流电路中。全桥是由6只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的,右图为其外形。全桥的正向电流有5A、10A、20A、35A、50A等多种规格,耐压值(反向电压)有50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、700V、800V、900V、1000V、1100V、1200V、1300V、1400V、1500V、1600V、等多种规格。











三相整流模块 MDS50HB160 ASEMI原装大功率


型号:MDS30HB160

正向平均电流:30A

反向峰值耐压:1600V

漏电流:10uA


芯片个数:4个

引线(端子):5个

封装:MDS-HB

操作温度:-40℃~+170℃

桥式整流模块,采用进口方形芯片、芯片支撑板,经特殊烧结工艺,保证焊接层无空洞,使用更可靠。采用DCB板及其它导热绝缘材料,导热性能好,导热基板不带电(MDY2000型模块除外),保证使用安全。






















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