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在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
为解决SBD在高温
贴片肖特基二极管
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在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。
为解决SBD在高温下易产生由金属-半导体的整流接触变为欧姆接触而失去导电性这一肖特基势垒的退化问题，ASEMI通过退火处理，形成金属-金属硅化物-硅势垒，从而提高了肖特基势垒的高温性能与可靠性。
ASEMI生产的肖特基二极管全部采用俄罗斯米克朗大芯片，产品系列通过欧盟rosh以及美国ul认证，销售覆盖。
肖特基二极管属于低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。
肖特基二极管与PN结二极管在构造原理上有一定区别。这种管子的缺点是反向耐压较低，一般不超过100V，适宜在低电压、大电流的条件下工作。液晶彩电DC-DC变换器中的二极管一般采用的就是肖特基二极管。
需要说明的是，很多肖特基二极管和快恢复二极管有三只引脚，外形酷似晶体管。其实，这是一种内含两个肖特基二极管的复合二极管，其中一只脚为公共正极，另两只脚分别为两只二极管的负极，可用万用表方便地进行判断，
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