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对于热敏电阻效应,也就是电阻值阶跃的原因,在于材料组织是由许多小的微晶构成的,在晶粒的界面上,即所谓的晶粒边界(晶界)上形成势垒,阻碍电子越界进入到相邻区域中去,因此而产生高的电阻.这种效应在温度低时被抵消:在晶界上高的介电常数和自发的极化强度在低温时阻碍了势垒的形成并使电子可以自由地流动.而这种效应在高温时,介电常数
负温度系数热敏电阻供应商
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对于热敏电阻效应,也就是电阻值阶跃的原因,在于材料组织是由许多小的微晶构成的,在晶粒的界面上,即所谓的晶粒边界(晶界)上形成势垒,阻碍电子越界进入到相邻区域中去,因此而产生高的电阻.这种效应在温度低时被抵消:在晶界上高的介电常数和自发的极化强度在低温时阻碍了势垒的形成并使电子可以自由地流动.而这种效应在高温时,介电常数和极化强度大幅度地降低,导致势垒及电阻大幅度地,呈现出强烈的效应.
热敏电阻的命名标准和含义：
M代表敏感电阻器，F代表负温度系数热敏电阻器，接在后面的数字就是具体的用途或者特征。例如时恒电子的MF72代表功率型NTC热敏电阻器，MF52代表小黑头测温型NTC热敏电阻器，MF73代表大功率NTC热敏电阻器，MF58代表玻壳测温型NTC热敏电阻器，MF51代表单端玻璃封装NTC热敏电阻器等。
作为温度测量、温度补偿以及抑制浪涌电阻用的产品，同样条件下是B值大点好，因为随着温度的变化，B值大的产品其电阻值变化更大，也就是说更灵敏，热敏电阻是利用半导体材料电阻率灵敏地依赖于温度的特性制造的半导体器件热敏电阻时间常数τ是描述热敏电阻热惰性的参数，它的定义是当热敏电阻的温度变化达到开始热敏电阻与周围环境温度差的百分之六十三所需的时间，各种热敏电阻的时间常数差别很大。
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