双室磁控溅射系统
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设备简介
主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内优的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地保障。需要稳定磁场，用高斯计测量靶材表面磁场强度，由于磁场线本身是闭合曲线，靶材
真空磁控溅射镀膜设备公司
双室磁控溅射系统
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设备简介
主要特点是设备体积小，结构简单紧凑易于操作，对实验室供电要求低；该系列设备主要部件采用进口或者国内优的配置，从而提高设备的稳定性；另外自主开发的智能操作系统在设备的运行重复性及安全性方面得到更好地保障。需要稳定磁场，用高斯计测量靶材表面磁场强度，由于磁场线本身是闭合曲线，靶材磁场回路两端磁场强度自然比中间位置强，可以选择用弱磁铁，同时，基材要避开无法调整的磁场变化较大的部分。 目前该系列有基本型、旗舰型、豪华型、尊享型4种不同配置可供选择，可以根据客户的不同需求进行配置，比较灵活；标配4只Φ2英寸永磁靶，4台500W直流溅射电源，主要用来开发纳米级单层及多层的金属导电膜、半导体膜以及绝缘膜等。
磁控溅射的工作原理
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磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；抽气机组及阀门、管道1套，包含1台进口复合分子泵及变频控制电源（680L/s，德国普发Hipace700分子泵）。新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E（电场）×B（磁场）所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于磁控溅射一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。
磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
自动磁控溅射系统有哪些特点？
沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售磁控溅射产品，我们为您分析该产品的以下信息。
自动磁控溅射系统产品特点：
不锈钢腔体
晶振夹具具有的<1 的厚度分辨率
带观察视窗的腔门易于上下的载片
基于LabView软件的PC计算机控制
带密码保护功能的多级访问控制
完全的安全联锁功能
预真空锁以及自动晶圆片上/下的载片
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