三极管的原理：
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。(3)将TVS二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。两
批发肖特基二极管
三极管的原理：
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。(3)将TVS二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪音影响。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
瞬态抑制二极管选型技巧
瞬态抑制二极管是用于保护敏感型电子设备免受高电压瞬变损害的电子元件。 与大多数其他类型的电路保护设备相比，它们可更快地应对过电压现象。为了限制流过TVS管的电流不超过管子允许通过的峰值电流IPP，应在线路上串联限流元件，如电阻、自恢复保险丝、电感等。瞬态抑制二极管目前已广泛应用于通讯设备、电子镇流器、交/直流电源、汽车、家用电器、计算机系统、仪器仪表当中。
(1)瞬态抑制二极管额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的工作电压。若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
MCC稳压二极管
不管正向还是反向接入法，其等效电路都如图8所示。我们假设二极管的节电容为3pF，附件功能模块寄生总电容1uF。如果抽检一批二极管，虽然全部达到要求，耐压值的离散性大于20%，在长期使用时就可能有问题。如果电阻足够大，那么可以忽略，此时就是两个电容串联，和电阻并联类似，CT=C1*C2/(C1+C2)≈C1(C2较大)。大电容就算变化很大，串联总电容几乎等于小电容，即3pF，有效减小接入电容。
以上运用是建立在二极管单向导电性和较小节电容的基础上。正向接入和反向接入只能是单方向的，不能解决所有情况，也就是说只能针对特殊的功能模块。
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