多源有机无机蒸发系统350型四源有机无机热蒸发镀膜机厂
多源有机无机蒸发系统
想了解更多关于电阻热蒸发镀膜产品的相关资讯，请持续关注本公司。
主要用途：
用于纳米级单层及多层金属膜、 半导体膜等新材料的制备。广泛应用 于大专院校的薄膜材料科研。
系统组成:
由真空室、蒸发源、样品台、 真空测量、膜厚测试、电控系统组成。
技术指标：
极限
350型四源有机无机热蒸发镀膜机厂
多源有机无机蒸发系统350型四源有机无机热蒸发镀膜机厂
多源有机无机蒸发系统
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主要用途：
用于纳米级单层及多层金属膜、 半导体膜等新材料的制备。广泛应用 于大专院校的薄膜材料科研。
系统组成:
由真空室、蒸发源、样品台、 真空测量、膜厚测试、电控系统组成。
技术指标：
极限真空度5.0×10-5Pa，系统漏率：1×10-7PaL/S； 恢复真空时间：40分钟可达6.6×10 Pa
真空室：D形真空室，尺寸350× 380mm
样品台：尺寸为4英寸厚度3mm的平面样品；
电极：数量：4支水冷结构；直径Φ20㎜
样品基片:，基片在镀膜位置实现自转。基片的温度从室温至600℃
4套挡板系统：基片挡板与源挡板；靶挡板共有3套， 样品挡板（１套）
石英晶振膜厚控制仪：膜厚测量范围0-999999
可选分子泵组或者低温泵组合涡旋干泵抽气系统。
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300C有机无机联合蒸发
用于制备导电薄膜，半导体薄膜，铁电薄膜，光学薄膜等。
该蒸镀设计系统主要由真空抽气及真空测量系统、真空室系统、工件架系统、蒸发源系统、膜厚测试系统、蒸发舟挡板系统、烘烤照明系统、水冷却循环及报警系统、电控及控制系统、辅助系统等设计。
极限真空度：≤6.7×10 Pa
恢复真空时间：从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min
系统漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；
真空室：Ф400 x400mm圆筒型真空室 ，
蒸发源：1-4个，采用电阻蒸发舟、蒸发蓝、绞丝、束源炉至下向上蒸发镀膜。
蒸发温度：加热温度：室温～1800℃；
蒸发舟在距中心100～160mm的圆周上；蒸发舟可上下升降，调节幅度0～150mm（样品中心与坩埚距离150~300mm）；
工作架类型及尺寸：样品托盘直径Φ300mm，其上可放多个直径20mm的小样品；样品托盘具有自转功能，转速在0～20 转/分钟，转速可调；样品托盘可摆角，角度在0～30度可调；
烘烤温度：400℃数显自动热偶控温（高温炉盘，数显自动热偶控温可加热到700℃）
电阻蒸发源：电压5V，10V，功率2.5KW，水冷电极1~4对
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有机热蒸发镀膜机介绍
1. 真空室的极限真空度达5*10-5pa，漏率为关机12小时≤5pa
2. 真空腔内配有集约样品台一套，配有大挡板和16套小挡板，手动控制，开关方便快捷，每个小挡板挡两块30*30mm样片
3. 蒸发源共14套，其中10套有机蒸发源，4套金属蒸发源。控温精度±1℃，可以实现温度或电流补偿实现蒸镀速率稳定的功能
4. 金属蒸发源配4台一带一1000W可控硅调压电源，通过铜电极连接，两端可夹钨绞丝或者钽舟，钨绞丝可以蒸镀丝状或者大颗粒材料，钽舟可以蒸镀粉末状材料，蒸发源
