电光调制器选择需要注意什么？
1、串联方式的选择对功率损耗量影响较大，通常采用n级晶体串联的方式来降低，此外，为了使n级晶体电光效应逐步提高，应将晶体的x轴与y轴方向旋转90°进行安置，同时，不应串联过多快晶体，避免电容过大。
2、电光调制器输出特性与外加电压的关系式非线性的，加入电光调制器工作于非线性部分，那么调制光将发生畸变，只有确保高次谐波幅值在允许范围内，才
光学相位矩阵电光调制器
电光调制器选择需要注意什么？
1、串联方式的选择对功率损耗量影响较大，通常采用n级晶体串联的方式来降低，此外，为了使n级晶体电光效应逐步提高，应将晶体的x轴与y轴方向旋转90°进行安置，同时，不应串联过多快晶体，避免电容过大。
2、电光调制器输出特性与外加电压的关系式非线性的，加入电光调制器工作于非线性部分，那么调制光将发生畸变，只有确保高次谐波幅值在允许范围内，才能避免畸变。实际设计中，秩序带入电光调制器半波电压以及调制率的范围，就可验证调制电压峰-峰值是否符合设计要求。制作率的驱动器是非常困难的，因此制作具有低Vp的调制器是很受欢迎的。
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电光调制器的选择应考虑什么？
电光调制器的选择应考虑温度补偿、压电谐振、光束发散角等因素。温度补偿方面，可采用两个长度相等的晶体中间插入一块半波长片或采用两个长度相等的晶体的外加电场轴相互垂直的结构的方法来解决;压电谐振方面，可采用金属或树脂加固晶体的方法来抑制谐振;光束发散方面应将发散角控制为调直机孔径的三分之二，来减少发散角。目前较常用的晶体材料包括铌酸锂和KDP类晶体，由于KDP类晶体的物理性能不佳，容易发生潮解，因此其调制性能往往受到环境限制，而铌酸锂晶体则具有优越的透光性和物理性能，是电光调制晶体设计的理想材料。
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电光调制器的应用
在电通信系统中,原始率数字信号电平的峰-峰值只有0.8V。因为数据率大于2.5Gb/s的铌酸锂调制器的半波电压(Vp)较高，故都需要用驱动器来推动调制器。驱动器不仅要有很宽的工作频带，并且要能提供足够大的微波输出功率。例如：对于10Gb/s、Vp=5.5V的调制器，需要驱动器具有75KHz 到8GHz的工作频带及20dBm(100mW)的1dB输出功率。制作率的驱动器是非常困难的，因此制作具有低Vp的调制器是很受欢迎的。电光调制器的优势电光调制器是利用介质的线性电光效应，即Pockles效应。
电光调制器有哪些应用
电光调制器还用于产生高重复频率、极窄的光脉冲或光孤子(Soliton)，在雷达的欺骗系统中用作为光子宽带微波移相器和移频器，在微波相控阵雷达中用作光子时间延迟器，用于光波元件分析仪，测量微弱的微波电场等.
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