欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？
当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求。当这两个参数通过后，便表示
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欲测知元件老化，所须提供的测量范围为何？
当大功率元件在作导通参数的测试时，电流必须大到其所能承受的正常工作值，同时，在作关闭参数的漏电流测试时，电压也必须够高，以元件在真正工作状态下的电流与电压，如此其老化的程度才可显现。3、集电极电压：50～100V±3%±1V
100～500V±3%±5V
500V～1000V±3%±10V
4、栅极驱动电流：满足5A以下测试要求。当这两个参数通过后，便表示元件基本上良好，再进一步作其他参数的测量，以分辨其中的优劣。建议进行高温测试，模拟器件使用工况，更为准确的判断器件老化程度。
测试的IGBT参数包括：ICES（漏流）、BVCES（耐压）、IGESF（正向门极漏流）、IGESR（反向门极漏流）、VGETH（门槛电压／阈值）、VGEON（通态门极电压）、VCESAT（饱和压降）、ICON（通态集极漏流）、VF（二极管压降）、GFS（跨导）、rCE（导通电阻）等全直流参数, 所有小电流指标保证1%重复测试精度, 大电流指标保证2%以内重复测试精度。3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路
。
半导体元件全自动测试系统，可以元件在真正工作状态下的电流及电压，并测量重要参数的数据，再与原出厂指标比较，由此来判定元件的好坏或退化的百分比。（外部电感的H值传给PC，以计算电流源的极限，限制脉宽到1000us）。每个电流模块，都具有独立的供电系统，以便在测试时，提供内部电路及电池组充电之用； 可选购外部高压模块，执行关闭状态参数测试如：各项崩溃电压与漏电流测量达2KV。
3.3主要技术要求
3.3.1 动态参数测试单元技术要求
3.3.1.1 环境条件
1)海拔高度：海拔不超过1000m；
2)温度：储存环境温度 -20℃～60℃；
3)工作环境温度： -5℃～40℃；
4)湿度：20%RH 至 90%RH (无凝露，湿球温度计温度: 40℃以下)；
5)震动：抗能力按7级设防，地面抗震动能力≤0.5g；
6)防护：无较大灰尘，腐蚀或性气体，导电粉尘等空气污染的损害；
1）可调充电电压源
用来给电容器充电，实现连续可调的直流母线电压，满足动态测试、短路电流的测试需求。
输入电压 380V±10%
频率 50HZ；
输出电压 500～1500V可调（可多个电源组成）
输出电流 10A；
电压控制精度 1%
电压调整率 <0.1%；
纹波电压 <1%；
工作温度 室温～40℃；
保护 有过压、过流、短路保护功能。
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