测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。2测试对象
IGBT、F
轨道交通用IGBT测试仪厂家
测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。2测试对象
IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块
2。
为何老化的元件必须尽早发现及尽早更换？
当功率元件老化时，元件的内阻在导通时必定会加大，因而使温度升高，并使其效能降低。长期使用后若温升过高时，会使元件在关闭时的漏电流急遽升高。(因漏电流是以温度的二次方的曲线增加)，进而使半导体的接口产生大量崩溃，而将此元件完全烧毁。当元件损毁时，会连带将其驱动电路上的元件或与其并联使用的功率元件一并损伤，所以，必须即早发现更换。1开关时间测试单元技术条件
开通时间测试参数：
1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns
2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns
3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns
4、开通能量：0。
9、系统保护功能
9.1 有完备的安全控制单元，动态测试设备有传感器来保证操作者安全，设备任何门被打开均能切断高压电源。
9.2 有急停按钮，当急停按钮被按下时，迅速切断所有高压电源。
9.3 系统带有短路保护功能，在过载时迅速断开高压高电流。
9.4 操作系统带有多级权限。
9.5 系统应配有内置ups，保证计算机系统在电网短时间掉电情况下，为系统供电0.5小时以上，确保系统及数据安全。
10、样品夹具
10.1 有通用测试夹具。
10.2 带有62mm封装测试夹具
10.3 带有EconoPACK3封装测试夹具
10.4 带有34mm封装测试夹具
（作者： 来源：）
