光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半
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光刻胶去除
半导体器件制造技术中，通常利用光刻工艺将掩膜板上的掩膜图形转移到半导体结构表面的光刻胶层中。通常光刻的基本工艺包括涂胶、曝光和显影等步骤。
在现有技术中，去除光刻胶层的方法是利用等离子体干法去胶。将带有光刻胶层的半导体结构置于去胶机内，在射频电压的能量的作用下，灰化气体被解离为等离子体。所述等离子体和光刻胶发生反应，从而将光刻胶层去除。
而在一些半导体器件设计时，考虑到器件性能要求，需要对特定区域进行离子注入，使其满足各种器件不同功能的要求。一部分闪存产品前段器件形成时，需要利用前面存储单元cell区域的层多晶硅与光刻胶共同定义掺杂的区域，由于光刻胶是作为高浓度金属掺杂时的阻挡层，在掺杂的过程中，光刻胶的外层吸附了一定浓度的金属离子，这使得光刻胶外面形成一层坚硬的外壳。光刻胶存储条件及操作防护光刻胶是一种可燃液体，储存条件应符合对应的法规，不要与强氧化剂混合，存放在通风良好的地方，保持容器密闭，避免吸入蒸汽或雾气，避免接触眼睛、皮肤或衣服，操作后清洗。
这层坚硬的外壳可以采取两种现有方法去除:方法一，采用湿法刻蚀，但这种工艺容易产生光刻胶残留；A可以考虑使用Futurrex，正型光阻PR1，负型光阻用NR1&NR7,它们都可以耐高温180度，完全可以取代一般制作PATTERN的光阻。方法二，先通过干法刻蚀去除硬光刻胶外壳，再采用传统的干法刻蚀去光刻胶的方法去除剩余的光刻胶的方法，但是这种方式增加了一步工艺流程，浪费能源，而且降低了生产效率；同时，传统的光刻胶干法刻蚀去除光刻胶时，光刻胶外面的外壳阻挡了光刻胶内部的热量的散发，光刻胶内部膨胀应力增大，导致层多晶硅倒塌的现象。
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光刻胶稳定性
化学稳定性：在正常储存和操作条件下，在密闭容器中室温稳定。
避免的条件: 火源、湿气、过热的环境。
不相容的其他材料: 强氧化剂。
光刻胶毒理资料
淡黄色液体，气味微弱。引起皮肤、眼睛、粘膜和呼吸道的刺激。可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状。液体是可燃的。
毒性数据
皮肤：可以通过皮肤吸收而引起全身性的症状，类似于吸入。长时间或重复接触可引起轻度至中度的刺激或皮炎。
眼睛：引起眼睛发炎。
吸入：吸入时可能有害。引起呼吸道刺激。蒸气可能导致困倦和头晕。
摄食：吞食有害。
延迟效应：肝和损害，以及动物实验中有报道血液和GU髓有影响。
光刻胶
PCB
光刻胶
主要分为干膜光刻胶、湿膜光刻胶（又称为抗蚀刻/线路油墨）、光成像阻焊油墨等。PCB 光刻胶技术壁垒相对较低，主要是中低端产品。
LCD
包含彩色滤光片用彩色光刻胶及黑色光刻胶、LCD 触摸屏用光刻胶、TFT-LCD 正性光刻胶等产品。
彩色滤光片是LCD
实现彩色显示的关键器件，占面板成本的14%~16%；在彩色滤光片中，彩色光刻胶和黑色光刻胶是核心材料，占其成本的27%左右，其中黑色光刻胶占彩色滤光片材料成本的6%~8%。
半导体光刻胶
包括g 线光刻胶、i 线光刻胶、KrF 光刻胶、ArF 光刻胶、聚酰YA光刻胶、掩膜板光刻胶等。
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