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肖特基二极管的弱点和避免事项
肖特基二极体的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二
肖特基二极管常见型号
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肖特基二极管的弱点和避免事项
肖特基二极体的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值可以到200V。
肖特基(Schottky)二极管的特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点:耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要多做考虑。
另外，除了普通PN结二极管的特性参数之外，用于检波和混频的SBD电气参数还包括中频阻抗(SBD施加额定本振功率时对特定中频所呈现的阻抗，一般在200Ω~600Ω之间)、电压驻波比(一般≤2)和噪声系数等。
为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。
MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。
备注：美国摩托罗拉半导体公司，是世界半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来，分为：
成品电器（比如手机、通信终端设备、小家电等）；
电子元件部分是今天的ON（安森美半导体），生产功率器件；
Freescale（飞思卡尔半导体）生产IC集成电路；
如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常说贴片封装。
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