LED芯片结构
蕞近看了不少 LED芯片相关的资料，简单介绍下 LED 芯片的结构和制造流程，帮助理解 LED 相关企业的发展情况以及发展前景。
LED 芯片一共包含两部分主要内容，一个是 LED 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家（GaN）缓冲层；一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 PN 电极层。所以 LED 芯片一共涉及三个生产工序：发光外
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LED芯片结构
蕞近看了不少
LED芯片相关的资料，简单介绍下 LED 芯片的结构和制造流程，帮助理解 LED 相关企业的发展情况以及发展前景。
LED 芯片一共包含两部分主要内容，一个是 LED 外延片 — 上图中下面的蓝宝石衬底以及衬底上的氮化家（GaN）缓冲层；一个是在外延片上面用来发光的量i子阱和 PN 电极层。所以 LED 芯片一共涉及三个生产工序：发光外延片生长、芯片生长和制造、芯片封装。
在上面三个工序中，外延片的生长技术含量蕞高、芯片制造次之、而封装又次之。
电极加工也是制作
LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对衬底进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。
如果晶片清洗不够干净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。
蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定晶片，因此会产生夹痕(在目检必须挑除)。黄光作容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶片在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有晶粒电极刮伤情形发生。
LED芯片材料磊晶种类
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
LED的电压在2-9v不等，功率也有较宽的范围，具体选用哪种LED还要看这个模组作为一个产品来说的技术要求。比如这个LED模组需要输出10lm的光，外观上看用两颗LED比较好，就可以选择5lm一颗的LED。结合颜色（LED电压与颜色有关）、温度、等其他因素，就可以找到一款合适产品的LED。LED模组可以分为直插式LED模组，食人鱼LED模组，贴片LED模组。
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