什么是大功率半导体元件?其用途为何? 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。1mJ50~100
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什么是大功率半导体元件?其用途为何?
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC(可控硅)、SCR(晶闸管)、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等,其工作电流与电压乘积若大于1KW以上,均可属于大功率的范围。如下图片所示。此类元件多用于车船,工厂的动力,光电及其他能源的转换上。1mJ50~100mJ±5%±1mJ
100~500mJ±5%±2mJ
5、开通电流上升率di/dt测量范围:200-10000A/uS
6、开通峰值功率Pon:10W~250kW。

航空、电子信息等领域——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;
机车、汽车、船舶控制系统生产厂——应用本公司测试系统可对所应用到的元器件,尤其对
现代新型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,以确保出厂产品的稳定性、可靠性;
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型IGBT大功率器件的全参数进行智能化测试测试、筛选、分析,
以确保出厂产品的稳定性、可靠性。
优势行业:电力设备、地铁、铁路动力车组和运用大功率半导体器件进行设计、制造的行业。

4验收和测试
3)验收试验应在-10~40℃环境温度下进行,验收完成后测试平台及外部组件和装置均应安装在买方的位置上。
4)测试单元发货到买方前,卖方应进行出厂试验。卖方出厂试验详细方案应提前提交买方评估,通过买方评估合格后实施方可视为有效试验。否则,需按买方提出的修改意见重新制定出厂试验方案,直至买方评估合格。IGBT模块VCE-IC特线(单管),Vcesat随电流变大而增大。

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