可通过测量霍尔元件的电压变化得到待测微压差ΔP。图1霍尔式磁性液体微压差传感器结构示意图Fig．传感器改进部分的模型如图2所示。将霍尔元件固定在环形支架上，通过滑动支架可以改变霍尔元件测量位置，增加了传感器测量范围。环形支架的凹槽处放置霍尔元件，两个环形支架可以在滑轨上滑动，通过调节两个环形支架间距，可以改变传感器的测量量程。
图2量程可调式传感器改进部分模型Fi霍尔式磁性液体微
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可通过测量霍尔元件的电压变化得到待测微压差ΔP。图1霍尔式磁性液体微压差传感器结构示意图Fig．传感器改进部分的模型如图2所示。将霍尔元件固定在环形支架上，通过滑动支架可以改变霍尔元件测量位置，增加了传感器测量范围。环形支架的凹槽处放置霍尔元件，两个环形支架可以在滑轨上滑动，通过调节两个环形支架间距，可以改变传感器的测量量程。
图2量程可调式传感器改进部分模型Fi霍尔式磁性液体微压差传感器静态参数优化2．1模型和Pareto解方法对图1中磁性液体微压差传感器模型进行，新型霍尔式磁性液体微压差传感器的初始结构参数如表1所示。表1传感器结构参数Ta传感器尺寸参数数值中间永磁体与两侧永磁体初始间距lg15中间永磁体长度lh10中间永磁体宽度dc6环形永磁体长度lm10玻璃管直径d08运用磁场有限元软件来计算传感器玻璃管内部的磁场，建立模型。
其中薄膜中N元素的相对含量由纯水亚相的1．06%增加至PAA-Azo亚相的3．64%，归因于CD-CHOL/PAA-Azo复合膜中PAA-Azo分子的N元素的增量。此外，将两种薄膜的C1s特征峰进行分峰考察不同化学价态的碳元素的相对含量，如图5(b)和5(c)所示。位于284．8eV处的峰归属于C—C，CC以及C—H键，287．2eV处的峰归属于CO键。可以清楚看出，CD-CHOL/PAA-Azo复合膜的C—C与CO基团的相对含量均相比CD-CHOL水相膜中有所增加，达到76．2%以及1．5%
不同粒度硅砂对高应变点玻璃熔制质量的分析图1和图2分别为不同粒度硅砂配合料熔制(熔制温度1400℃)的高应变点玻璃样品的显微镜图像和样品未熔物及气泡分析图。从图1和图2中可明显看出，未筛分的硅砂熔制出的高应变点玻璃样品中的未熔物，筛分后的硅砂熔制出的玻璃样品随硅砂目数的增大，未熔物逐渐减少，而气泡数量呈逐渐增多的趋势。
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