电子芯片和led芯片有什么区别？
我们平常所见到的电子芯片，比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等，跟LED芯片主要有什么区别？LED芯片是不是只是把一大堆能发光的二极管布在晶圆上呢？LED芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢？
蕞大的不同是：1，材料不一样，前者为硅基，后者为三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者对材料缺陷率要求更高。
led外延片厂家
电子芯片和led芯片有什么区别？
我们平常所见到的电子芯片，比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等，跟LED芯片主要有什么区别？
LED芯片是不是只是把一大堆能发光的二极管布在晶圆上呢？LED芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢？
蕞大的不同是：1，材料不一样，前者为硅基，后者为三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者对材料缺陷率要求更高。
电子芯片长在硅衬底上，中间各种光刻、刻蚀、掺杂、长膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料为主；而LED长在蓝宝石（Al2O3）、SiC或Si衬底上，缓冲层后长成后，再长N型GaN层和P型GaN层，中间一层多量i子阱发光层。电流经过PN结时因为电势能的变化将多余的能量以光的形式散发出去，不同的电势能差则光的能量也有不同，表现就是不同的发光颜色（如蓝光、红光LED，红光能量低技术简单，很多年以前就出来了；蓝光LED能量高，难度大。蓝光LED激发黄色荧光粉可产生白光）
LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有比较重要的影响
一般来说，LED外延生产完成之后她的主要电性能已定型，
LED芯片制造不对其产甞核本性改变，但在镀膜、合金化过程中不恰当的条件会造成一些电参数的不良。
比如说合金化温度偏低或偏高都会造成欧姆接触不良，欧姆接触不良是芯片制造中造成正向压降VF偏高的主要原因。
在切割后，如果对芯片边缘进行一些腐蚀工艺，对改善芯片的反向漏电会有较好的帮助。
这是因为用金刚石砂轮刀片切割后，芯片边缘会残留较多的碎屑粉末，这些如果粘在LED芯片的PN结处就会造成漏电，甚至会有击穿现象。
另外，如果芯片表面光刻胶剥离不干净，将会造成正面焊线难与虚焊等情况。
如果是背面也会造成压降偏高。在芯片生产过程中通过表面粗化、划成倒梯形结构等办法可以提高光强。
LED的
芯片数量常识：
同一个LED灯，常见的是只采用一个芯片，但物殊情况下可以用两个甚至达到四个芯片，如：一个草帽灯可以用一至两个芯片（考虑到其体积较小，散热不方便导致性能不稳定，一般只采用一两个芯片）；一个食人鱼灯可以用一，二，三，四个芯片，我司到的是一个和两个芯片；贴片3528灯可以用一，二，三个芯片（我司常用一，二个芯片），贴片5050/5060一般用到三个芯片。特别说明：贴片灯用三个芯片时，有两种情形：
1． 三个芯片的颜色完全相同
2． 三个芯片分别是红，绿，蓝色，即我们常说的RGB灯
LED的发光角度常识：
直插式LED常见的发光角度是120度，特殊的可以做到45度，或者15度。我司常用的直插式LED一般是120度，硅胶灯条采用的是45度；贴片式LED一般发光角度为120度。
LED的电压 (voltage) 常识：
单个小功率LED灯，颜色不同，其要求的电压也不同。红/黄：一般为1.8~2.1伏，白/绿/蓝：一般为3.0~3.6伏。1W大功率灯要求的电压与以上相同。
LED的电流 (current) 常识：
1． 小功率的LED灯（包括插件式或者贴片式），每个芯片上允许通过的电流一般不要高于20毫安；每个双芯片灯上允许通过的电流一般不高于40毫安；同理每个三芯片灯不要高于60毫安。。。。
2． 大功率LED，我司已采用的是1W，其允许通过的电流为150毫安。
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