在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的
贵金属复合材料加工
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆 厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。但对于杂质浓度小于[KG2]10原子/厘米[KG2]的探测器级超纯锗，则尚须经过特殊处理。
由于锗中有少数杂质如磷、铝、硅、硼的分配系数接近于1或大于1，要加强化学提纯方法除去这些杂质，然后再进行区熔提纯。电子级纯的区熔锗锭用霍尔效应测量杂质（载流子）浓度，一般可达10～10原子/厘米。经切头去尾，再利用多次拉晶和切割尾，一直达到所要求的纯度（10原子/厘米），这样纯度的锗（相当于13）所作的探测器,其分辨率已接近于理论数值。在贵金属深加工产品这一领域，如何来提升贵金属产品的技术含量和档次，贵金属纳米技术、纳米材料的科学研究，实践应用是这个产业向产业化发展的方向，成为当代关注和竞争的主要课题。
各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。
王水在溶解了 的溶液中有大量的残余和 硝基物的存在给后续提炼或精炼带来操作困难或失败，严重影响的提炼或精炼工艺顺利进行，严重影响回收率，故王水溶液的浓缩赶硝是紧随溶解其后的务必工序！尤其在铂族金属的精炼中严重影响水解的顺利进行和回收率。
王水溶液的浓缩赶硝故名思议是两段工序，浓缩的目的是将溶液中可在沸腾下挥发的酸和水尽量挥发，以便适合赶硝的药剂和浓度尽量高的无水硝基物或残余反应，以达到赶硝的目的。
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