什么是大功率半导体元件？其用途为何？ 凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路
。此类元
大功率IGBT测试仪厂家
什么是大功率半导体元件？其用途为何？
凡是半导体元件如金属氧化场效晶体管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶闸管）、 GTO等各型闸流体与二极管(DI ODE)等，其工作电流与电压乘积若大于1KW以上，均可属于大功率的范围。如下图片所示。3）IGBT饱和压降/FRD正向导通压降测试电路通态压降测试电路
。此类元件多用于车船，工厂的动力，光电及其他能源的转换上。
表格12动态参数测试部分组成
序号 组成部分 单位 数量
1 可调充电电源 套 1
2 直流电容器 个 8
3 动态测试负载电感 套 1
4 安全工作区测试负载电感 套 1
5 补充充电回路限流电感L 个 1
6 短路保护放电回路 套 1
7 正常放电回路 套 1
8 高压大功率开关 个 5
9 尖峰抑制电容 个 1
10 主回路正向导通晶闸管 个 2
11 动态测试续流二极管 个 2
12 安全工作区测试续流二极管 个 3
13 被测器件旁路开关 个 1
14 工控机及操作系统 套 1
15 数据采集与处理单元 套 1
16 机柜及其面板 套 1
17 压接夹具及其配套系统 套 1
18 加热装置 套 1
19 其他辅件 套 1
9）尖峰抑制电容
用于防止关断瞬态过程中的IGBT器件电压过冲。
电容容量 200μF
分布电感 小于10nH
脉冲电流 2kA
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
11）动态测试续流二极管
用于防止测试过程中的过电压。
反向电压 8000V(2只串联)
-di/dt大于2000A/μs
1开通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。通态电流 1200A
压降小于1V
浪涌电流大于20kA
反向恢复时间小于2μs
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
12）安全工作区测试续流二极管
反向电压 12kV(3只串联)
-di/dt 大于2000A/μS
通态电流 1200A
压降 小于1V
浪涌电流 大于20kA
反向恢复时间 小于2μS
工作温度 室温～40℃
工作湿度 <70%
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