蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。
为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流
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蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。
为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜较慢生长速度可控制在1单层／秒。通过控制挡板,可精准地做出所需成分和结构的单晶薄膜。
使用正确的刀尖半径：更大的刀尖半径将能够适应更快的速度。插入件能够以每转约TNR的一半进给，并且仍然产生良好的结果。如果超过此TNR与IPR比率，该工具将创造更多“线状”表面光洁度，而不是您想要的光泽光滑表面。因此，TNR越大，它可以容纳的进给速度越快，并且仍然产生期望的结果。滑块每次冲击后，应把手离开压力机开关或按钮、操作杆，以免从冲模中取工件时发生危险。然而，使用非常大的TNR可以产生颤振- 减少切割压力- 所以要小心并考虑切割材料所需的速度- 使用符合您需求的TNR工具。
在冲压加工操作中必须注意一下事项：
操作员必须了解冲压设备的型号、规格、性能，要班查：查交接班记录、查电器、查安全装置、查模具；
做到定人、、定质、定量和定期加润滑油；
有光电保护回路的压力机，开机前应先调试光电的合适的工作位置并试车；
工作前检查模具固定情况、安全装置，一切正常后方能试车,慢车运转一周后，再开车空转2-3min，检查设备运转和润滑情况正常以后，方可进行工作；
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