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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
肖特基二极管厂家
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在外加电压为零时，电子的扩散电流与反向的漂移电流相等，达到动态平衡。在加正向偏压(即金属加正电压，半导体加负电压)时，自建场削弱，半导体一侧势垒降低，于是形成从金属到半导体的正向电流。当加反向偏压时，自建场增强，势垒高度增加，形成由半导体到金属的较小反向电流。因此，SBD与PN结二极管一样，是一种具有单向导电性的非线性器件。
接下来我们将一起看一下ASEMI肖特基二极管和超快恢复二极管、快恢复二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。
在频率上，肖特基二极管大于超快恢复二极管大于快恢复二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；
在电流范围上，肖特基二极管大于超快恢复二极管大于快恢复二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；
在耐压限制范围上，肖特基二极管小于超快恢复二极管小于快恢复二极管小于硅高频整流二极管小于硅高速开关二极管；
由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。
肖特基二极管属于低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向恢复时间可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。
肖特基二极管与PN结二极管在构造原理上有一定区别。这种管子的缺点是反向耐压较低，一般不超过100V，适宜在低电压、大电流的条件下工作。液晶彩电DC-DC变换器中的二极管一般采用的就是肖特基二极管。
需要说明的是，很多肖特基二极管和快恢复二极管有三只引脚，外形酷似晶体管。其实，这是一种内含两个肖特基二极管的复合二极管，其中一只脚为公共正极，另两只脚分别为两只二极管的负极，可用万用表方便地进行判断，
3、常用的肖特基二极管
常用的有引线式肖特基二极管，1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200 等型号。也就是常说的插件封装。
常用表面贴封装肖特基二极管。贴片肖特基二极管为何命名为"SS"
SCHOTTKY:取首字母"S",
SMD:Surface Mounted Devices 的缩写，意为：表面贴装器件，取首字母"S",
上面两个词组各取首字母、即为 SS,
电流的肖特基是BAT42（0.2A）；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；
电流的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超过440A 的必定是模块。
肖特基的电压是 200V,也就是说，肖特基的极限电压是200V.超过200V 电压的也必定是模块。
电流越大，电压越低。与可控硅元件不一样。电流与电压成反比（模块除外）。
10A、20A、30A 规格的有做到200V 电压。除此外，都没有200V 电压规格。
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