IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压
轨道交通用IGBT测试仪批发
IGBT测试装置技术要求
（1）设备功能
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试。系统的测试原理符合相应的，系统为独立式单元，封闭式结构，具有升级扩展潜能。产品广泛应用于电力、冶金自动化、轨道交通、电力电子新能源开发等行业，部分产品出口到欧美等发达。
IGBT模块检测装置是用于IGBT的静态参数测试，在IGBT的检测中，采用大电流脉冲对IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测。为提供稳定的大电流脉冲，采用了支撑电容补偿及步进充电的方法，解决IGBT进行VCE饱和压降及续流二极管压降的检测问题。
7、测量配置
7.1 示波器：美国泰克新5系混合信号示波器（MSO），带宽500MHZ，垂直分辨率12位ADC，4通道；
7.2 高速电流探头；
7.3 高压差分探头。
8、测试参数应包括
8.1 开通：turn on (tdon , tr , di/dt , Ipeak , Eon , Pon )；
8.2 关断：turn off (tdoff , tf , Eoff , Ic , Poff)；
8.3 反向恢复 (Irr,Trr,di/dt,Qrr,Erec)；
8.4 栅电荷：采用恒流驱动，电流可调范围：0～100mA；
8.5 短路（1200Ａmax）；
8.6 雪崩；
8.7 NTC(模块)测试：0-20KΩ；
8.8 主要测试参数精度偏差 ：< 3 % 。
目的和用途
该设备用于功率半导体模块（IGBT、FRD、肖特基二极管等）的动态参数测试，以表征器件的动态特性，通过测试夹具的连接，实现模块的动态参数测试。3电流持续时间It：10~1000us单个脉冲或双脉冲的总时间。
1.2 测试对象
IGBT、FRD、肖特基二极管等功率半导体模块
2.测试参数及指标
2.1开关时间测试单元技术条件
开通时间测试参数：
1、开通时间ton：5～2000ns±3%±3ns
2、开通延迟时间td(on)：5～2000ns±3%±3ns
3、上升时间tr：5～2000ns±3%±3ns
4、开通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ
1～50mJ±5%±0.1mJ
50～100mJ±5%±1mJ
100～500mJ±5%±2mJ
5、开通电流上升率di/dt测量范围：200-10000A/uS
6、开通峰值功率Pon：10W～250kW
开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值（一般为被测器件额定电压的1/2），设定±VGG到测试要求值，计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号，开通和关断被测器件两次，被测器件次开通后，集电极电流IC上升，直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时，关断被测器件(设为t1时刻)，之后电感L经二极管（Q1内部二极管）续流，IC迅速减小，直至IC降为零时，第二次开通被测器件(设为t2时刻)，此后电感L中的电流向IC转移，IC迅速上升(若L足够大，t1～t2间隔足够短，L中的电流可视为恒流），直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻)，关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2～t3之间的导通波形，其中，VCE采样到示波器的CH1通道，IC取样到示波器的CH2通道，VGE采样到示波器的CH3通道，示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机，由计算机对测试波形进行分析与计算，后显示测试结果。华科智源IGBT测试仪制造标准
华科智源IGBT测试仪HUSTEC-1200A-MT除满足本技术规格书的要求外，在其设计、制造、试验、检定等制程中还应满足以下标准的版本。
（作者： 来源：）
