为了满足辅助槽的负荷要求，生产线占用面积比同样产量的环形电镀自动生产线要大，清洗槽消耗的水量与加热时的能耗也较大。看来每一种电镀生产线都有自身的优缺点，电镀加工厂在选择自动生产线的类型时必须加以注意。
目前电镀设备制造行业普遍采用的是全自动电镀生产线，针对中小型工件多采用挂镀自动生产线；不易损坏的小型工件多采用滚镀自动生产线；而脆性材质和精密的小型工件就适用振动镀自动生产
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为了满足辅助槽的负荷要求，生产线占用面积比同样产量的环形电镀自动生产线要大，清洗槽消耗的水量与加热时的能耗也较大。看来每一种电镀生产线都有自身的优缺点，电镀加工厂在选择自动生产线的类型时必须加以注意。
目前电镀设备制造行业普遍采用的是全自动电镀生产线，针对中小型工件多采用挂镀自动生产线；不易损坏的小型工件多采用滚镀自动生产线；而脆性材质和精密的小型工件就适用振动镀自动生产线。
蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。
为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。我们需要确保我们不会使用不必要的长工具，这些工具可以轻易转向或增加喋喋不休的机会。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜较慢生长速度可控制在1单层／秒。通过控制挡板,可精准地做出所需成分和结构的单晶薄膜。
基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体(O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。
使用正确的刀尖半径：更大的刀尖半径将能够适应更快的速度。插入件能够以每转约TNR的一半进给，并且仍然产生良好的结果。如果超过此TNR与IPR比率，该工具将创造更多“线状”表面光洁度，而不是您想要的光泽光滑表面。（3）批量大、尺寸小的弯曲件，应采用级进模弯曲成形工艺，以提高生产率。因此，TNR越大，它可以容纳的进给速度越快，并且仍然产生期望的结果。然而，使用非常大的TNR可以产生颤振- 减少切割压力- 所以要小心并考虑切割材料所需的速度- 使用符合您需求的TNR工具。
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