四氟化碳的密度比较高，可以填满地面空间范围，在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉，干燥，通风的库房内，严禁曝晒，远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合
四氟化碳生产厂家
四氟化碳的密度比较高，可以填满地面空间范围，在不通风的地方会导致窒息。四氟化碳成品应存放在阴凉，干燥，通风的库房内，严禁曝晒，远离热源。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳是目前微电子工业中用量大的等离子蚀刻气体，其高纯气及四氟化碳高纯气配高纯氧气的混合体，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨薄膜材料的蚀刻。
四氟化碳有时会用作低温冷却剂。它可用于电路板的制造，以及制造绝缘物质和半导体。它是用作气体蚀刻剂及等离子体蚀刻版。四氯1化碳与氟化1氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分经精馏而得成品。含镁大于2%的合金不能用。在高温，一些金属起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增长的次序由小到大地排列则如下：因科镍合金、奥氏体不锈钢、镍、钢、铝、铜、青铜、黄铜、银。
四氟化碳（CF4）早就是通过氟碳直接反应法制得的，该方法经过不断的发展与完善, 如今已成为工业上制备全的主要的方法之一。高纯四氟化碳是纯度在99.999%以上的四氟化碳产品，是一种无色无味气体。高纯四氟化碳不可燃烧，在常温常压条件下化学性质稳定，在密闭容器中遇高热有危险，不溶于水，可溶于苯、等部分溶剂。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。
在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，后经精馏而得成品。四氟化碳贮存注意事项：气瓶不得靠近火源，不得受日光曝晒，与明火距离一般应该不小于10米，气瓶不得撞击。气瓶的瓶子严禁沾染油脂。以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。
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