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变频器用IGBT测试仪加工「华科智源」

3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES: 0.01~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~50mA±1%±0.1mA; 集电极电压VCES: 0-5000V±1.5%±2V; * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01~50mA 集电极电压VCES: 50~500V±2%±1V;出厂调试结束、出厂前预验收完成后,卖方将
变频器用IGBT测试仪加工

3.6 VCES 集射极截止电压 0~5000V 集电极电流ICES: 0.01~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~50mA±1%±0.1mA; 集电极电压VCES: 0-5000V±1.5%±2V; * 3.7 ICES 集射极截止电流 0.01~50mA 集电极电压VCES: 50~500V±2%±1V;出厂调试结束、出厂前预验收完成后,卖方将为每个柜子量身定做包装柜,保证包装坚固,能适应境内公路、铁路运输,并兼顾设备在现场保存时间的要求。 500~5000V±1.5%±2V; 集电极电流ICES: 0.001~1mA±3%±0.001mA; 1~10mA±2%±0.01mA; 10~150mA±1%±0.1mA; * 3.8 VCE(sat) 饱和导通压降 0.001~10V 集电极电流ICE: 0-1600A 集电极电压VCEs: 0.001~10V±0.5%±0.001V 栅极电压Vge: 5~40V±1%±0.01V 集电极电流ICE: 0~100A±1%±1A; 100~1600A±2%±2A; * 3.9 Iges 栅极漏电流 0.01~10μA 栅极漏电流IGEs: 0.01~10μA±2%±0.005μA 栅极电压Vge: ±1V~40V±1%±0.1V; Vce=0V; * 3.10 VF 正向特性测试 0.1~5V 二极管导通电压Vf: 0.1~5V±1%±0.01V 电流IF: 0~100A±2%±1A; 100~1600A±1.5%±2A;



5、感性负载

5.1 有效电感 L 100 200 500 1000 μH;

5.2 电流 Ic 1000 1000 1000 500 A;

外部电感成阵列的内部连接。(外部电感的H值传给PC,以计算电流源的极限,限制脉宽到1000us)。

6、标准的双控制极驱动

6.1 门极电阻可人工预先设定如:2.5Ω,5Ω,10Ω等;

6.2 开启(Trun-ON)输出电压 Vge+ : +15V;

6.3 关断(Trun-ON)输出电压 Vge- : -15V;

6.4 脉宽: 10 ~ 1000us (单脉冲、双脉冲总时间);

6.5 电压开关时间: < 50ns;

6.6 输出内阻: < 0.5Ω;



产品主要有电力半导体器件、组件、模块(包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶闸管及功率整流管等)的检测及可靠性设备,电气自动化设备,电冶、电化学装置,电力半导体变流装置及各种高、中、低频感应加热电源、感应加热炉,晶闸管高压阀组、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驱动器、远距离光电转换软件控制系统、光电脉冲触发板、IGBT的智能高压驱动板等。培训后,应能达到用户能基本完全独立熟练操作单元进行功率半导体性能测试,并能解决实际工程问题。



6)短路保护放电回路 紧急情况下放电,保证紧急情况时使设备处于安全电位。 回路耐压 DC10kV 6双电流脉冲的设置:Vcc,Ic,电感值,间隙时间(10到50us)(脉宽自动计算)。放电电流 10kA(5ms) 工作温度 室温~40℃; 工作湿度 <70% 7)正常放电回路 用于设备正常关机时放电,使设备处于安全电位。 回路耐压 10kV 放电电流 50A 工作温度 室温~40℃; 工作湿度 <70% 8)高压大功率开关 电流能力 2000A 隔离耐压 10kV 响应时间 150ms 脉冲电流 20kA(不小于10ms) 工作方式 气动控制 工作气压 0.4MPa 工作温度 室温~40℃ 工作湿度 <70%





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