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真空压力法氦质谱检漏
采用真空压力法检漏时，需要将被检产品整体放入真空密封室内，真空密封室与辅助抽空系统和检漏仪相连，被检产品的充气接口通过连接管道引出真空密封室后，再与氦气源相连，当被检产品表面有漏孔时，氦气就会通过漏孔进入真空密封室，再进入氦质谱检漏仪，从而实现被检产品总漏率的测量。如果在试漏后将检漏气体
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真空压力法氦质谱检漏
采用真空压力法检漏时，需要将被检产品整体放入真空密封室内，真空密封室与辅助抽空系统和检漏仪相连，被检产品的充气接口通过连接管道引出真空密封室后，再与氦气源相连，当被检产品表面有漏孔时，氦气就会通过漏孔进入真空密封室，再进入氦质谱检漏仪，从而实现被检产品总漏率的测量。如果在试漏后将检漏气体排放在试漏区内，那么在整个工作日内本底浓度将不断地增长。
真空压力法的优点是检测灵敏度高，能实现任何工作压力的漏率检测，反映被检件的真实泄漏状态。
真空压力法的缺点是检漏系统复杂，需要根据被检产品的容积和形状设计真空密封室。这里需要说明在检漏过程要求确保充气管道接口无泄漏，或者采取特殊的结构设计将所有充气管道连接接口放置在真空密封室外部。
真空压力法的检测标准有GB /T 15823-2009《氦泄漏检验》，主要应用于结构简单、压力不是特别高的密封产品，如电磁阀、高压充气管道、推进剂贮箱、天线、应答机、整星产品等。
切勿放空或溢出检漏气体至试漏区
试漏中的可检漏率与检漏气体的本底浓度关系甚大，尽管检漏仪只检测检漏气体的浓度变化, 高的本底浓度还趋于出现高的波动。背压法氦质谱检漏采用背压法检漏时，首先将被检产品置于高压的氦气室中，浸泡数小时或数天，如果被检产品表面有漏孔，氦气便通过漏孔压入被检产品内部密封腔中，使内部密封腔中氦分压力上升。如果在试漏后将检漏气体排放在试漏区内，那么在整个工作日内本底浓度将不断地增长。此外，在充注或排放中要确保无气体溢出，并定期检查连接件是否有漏。
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喷氦法氦质谱检漏方法
这是常用的一种方法,一般用于检测体积相对较小的部件,将被检器件和仪器连通,在抽好真空后,在被检器件可能存在漏孔的地方(如密封接头,焊缝等) 用喷枪喷氦,如图4 所示,如果被检器件某处有漏孔,当氦喷到漏孔上时,氦气立即会被吸入到真空系统,从而扩散到质谱室中,氦质谱检漏仪的输出就会立即有响应,使用这种方法应注意:氦气是较轻的惰性气体,在喷出后会自动上升,为了准确的在漏孔位置喷氦,喷氦时应自上而下,由近至远(相对检漏仪位置) ,这是因为在喷下方时氦气有可能被上方漏孔吸入,就很难确定漏孔的位置;再者漏孔离质谱室的距离检漏仪反应时间也不同,所以喷氦应先从靠近检漏仪的一侧开始由近至远来进行。正压法氦质谱检漏采用正压法检漏时，需对被检产品内部密封室充入高于一个大气压力的氦气，当被检产品表面有漏孔时，氦气就会通孔漏孔进入被检外表面的周围大气环境中，再采用吸枪的方式检测被检产品周围大气环境中的氦气浓度增量，从而实现被检产品泄漏测量。
氦气在在半导体中的检漏作用
为了防止半导体器件、集成电路等元器件的表面因玷污水汽等杂质而导致性能退化，就必须采用管壳来密封。正压法的优点
