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半导体器件散粒噪声
因半导体 PN结两端势垒区电压的变化而产生电荷量的变化,显示了该区域的电容效应。随着外加正向电压的增加,电子 N区和 P区的空穴向耗竭区移动,等同于对电容充电。正向电压减少时,又使电子和空穴远离耗尽区,等于电容放电。施加反向电压时,耗尽区变化
前后指向声音传感器型号
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半导体器件散粒噪声
因半导体 PN结两端势垒区电压的变化而产生电荷量的变化,显示了该区域的电容效应。随着外加正向电压的增加,电子 N区和 P区的空穴向耗竭区移动,等同于对电容充电。正向电压减少时,又使电子和空穴远离耗尽区,等于电容放电。施加反向电压时,耗尽区变化方向相反。
在电流通过势垒区时,这种变化将使流过势垒区的电生微小的波动,从而产生电流噪声。它产生的噪声大小与温度、频带宽度△ f成比例。
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高频率热噪
高频率的热噪声是由导电体内电子运动不规律引起的。随着温度的升高,电子的运动越来越剧烈。导体间无规则的电子运动会使导体内部产生许多微小的电流波动,由于其运动规律,所以导体的平均总电流为零。
但是,当它作为一个元件(或作为电路的一部分)进入放大电路时,其内部的电流就会被放大成噪声源,尤其是对工作在高频频段的电路中的高频热噪声影响更大。
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理解接近传感器的特性是至关重要的。R1、R2的噪声在不计源阻抗 R噪声的情况下,在 R值较小的情况下,主要表现为电压噪声在 R值较小时占优势,而在 R值较大时, John噪声的贡献大。所以,低输出阻抗的接近传感器应该使用小电阻和低电压噪声运算放大器。
除了电阻外,电容还可以用来补偿和降低噪音。电抗元件不会增加任何噪声,但是通过它们的噪声电流会产生噪声电压,影响计算。综上所述,在放大器周围采用低阻抗,以减少电流噪声、热噪声和 EMI杂散干扰拾取的影响非常重要。
支持实时噪声分贝值显示,兼容用户监测系统,实现全天候、全天候监测噪声,并可设置报警限界,对环境噪声进行超标报警,这一监测系统精度高、通用性强,是其突出的特点,在交通干道上进行噪声监测、工业企业的厂界噪声检测、建筑施工场界噪声检测、建筑施工场界噪声检测、社会生活噪声检测等领域得到广泛应用。声频传感器特点:内置的噪声探头,数据采集模块,信号调理模块,集成化设计,确保噪声信号无失真转化为分贝值显示。
感应器通用性:4~20 mA工业标准输出,线性转换性能良好,与市场主流控制系统及监控系统兼容,组成噪声监测单元,还可与各种显示器配套使用,现场实时显示监测结果。实时性好:能够24小时全天候监测噪声,数据代表性强,能真实反映噪声水平。
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测相噪声
频率域内,直接频谱分析仪、相位检波器、鉴频器、双通道互关等是常用的相位噪声测量方法。需要指出的是,在不同的场合,对相位噪声的要求不同,测量方法也不同。专i业相位噪声测试系统可以完成典型的相位噪声测量,但这些专i业设备的价格相当昂贵,而频谱分析仪或新一代仪器是比较常用的仪器,对某些相位噪声指标要求不高,可采用信号/频谱分析仪对其进行测量。
用光谱分析法测量相位噪声的方法叫做直接频谱分析仪法。它既可在分析器上直接显示相位噪声测量值,又可精i确地同时显示是否存在其它离散信号,具有简单、灵活等特点。可直接加载被测信号到分析仪的射频输口后,再由分析仪直接进行分析测量;也可将被测信号与相位噪声指标较好的基准信号进行混频,得到一种较好的中频信号,再由分析仪对此进行分析。
由于仪器仪表技术和功能的不断发展,目前大多数信号/频谱分析仪都配有相位噪声测量。本选件测量界面及操作方法与专i业仪器相类似,将信号接入分析仪后,设置适当的载波频率或进行载波自动搜寻,再设定测频的频偏范围,等测量结束后,一条完整的边带噪声曲线呈现在界面上,如果对某些点的值感兴趣,则会有标记功能,设定至相应的频偏,标记就会显示出测量结果。
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