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变频器用IGBT测试仪批发推荐货源 华科分立器件测试仪

测试参数多且完整、应用领域更广泛,但只要使用其基本的2项功能:「开启」电流压降,「关闭」电流的漏电流,就可知道大功半导体有没有老化的现象。可移动型仪器,使用方便,测试简单,立即提供测试结果与数值。适用的半导体元件种类多,尤其能测大功率元件。用户能确实掌握新采购元件的质量,避免用到瑕疵或品。完全由计算机控制、的设定参数。适用于实验室和老化筛选的测试。操作非常简单、速度快。完全计
变频器用IGBT测试仪批发

测试参数多且完整、应用领域更广泛,但只要使用其基本的2项功能:「开启」电流压降,「关闭」电流的漏电流,就可知道大功半导体有没有老化的现象。

可移动型仪器,使用方便,测试简单,立即提供测试结果与数值。

适用的半导体元件种类多,尤其能测大功率元件。

用户能确实掌握新采购元件的质量,避免用到瑕疵或品。

完全由计算机控制、的设定参数。

适用于实验室和老化筛选的测试。

操作非常简单、速度快。

完全计算机自动判断、自动比对。



2.4短路技术条件 1、Vcc: 200~1000V 200~1000V±3%±2V 2、一次短路电流:20000A 500~1000A±3%±2A 1000A~5000A±2%±5A 5000A~20000A±2%±10A 3、tp:5-30us 2.5雪崩技术条件 1、Vce:50~500V±3%±5V 500~1000V±3%±5V 2、Ic:1A~50A 1A~9.9A±3%±50mA 10A~50A±3%±1A 3、EA:10mJ~20J 10mJ~1000mJ±3%±1mJ 1J~20J±3%±10mJ 4、脉冲宽度:40—1000uS可设定 5、测试频率:单次 2.6 NTC测试技术条件 阻值测量范围:0~20KΩ



开通特性测试采用双脉冲测试法。由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,计算机控制接通开关S1,并控制输出被测双脉冲触发信号,开通和关断被测器件两次,被测器件次开通后,集电极电流IC上升,直至被测器件饱和导通且IC达到测试规定值时,关断被测器件(设为t1时刻),之后电感L经二极管(Q1内部二极管)续流,IC迅速减小,直至IC降为零时,第二次开通被测器件(设为t2时刻),此后电感L中的电流向IC转移,IC迅速上升(若L足够大,t1~t2间隔足够短,L中的电流可视为恒流),直至被测器件再次达到饱和导通时(设为t3时刻),关断被测器件。记录下被测器件IC、VCE以及VGE在t2~t3之间的导通波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。5包装、标志和运输 卖方负责整套设备的包装和运输,并负担由此产生的费用。



其中:Vcc 试验电压源 ±VGG 栅极电压 C1 箝位电容 Q1 陪测器件(实际起作用的是器件中的续流二极管) L 负载电感 :100uH、200uH、500uH、1000uH自动切换 IC 集电极电流取样电流传感器 DUT 被测器件 关断时间采用单脉冲测试,由计算机设定并控制输出集电极电压VCC值到被测器件的测试要求值(一般为被测器件额定电压的1/2),设定±VGG到测试要求值,开关被测器件DUT一次,被测器件的开冲持续时间必须保证DUT完全饱和,同时监测集电极电流IC、栅极-发射极电压VGE和集电极-发射极电压VCE,记录下被测器件IC、VCE以及VGE的波形,其中,VCE采样到示波器的CH1通道,IC取样到示波器的CH2通道,VGE采样到示波器的CH3通道,示波器通过光通讯方式将测试波形传输给计算机,由计算机对测试波形进行分析与计算,后显示测试结果。2IGBT模块动态测试参数及指标测试单元对IGBT模块和FRD的动态参数及其他参数的定义满足IEC60747-9以及IEC60747-2。





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