什么是化学气相沉积?
化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-
等离子化学气相沉积设备厂家
什么是化学气相沉积?
化学气相沉积是一种化工技术,该技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态无机薄膜材料。这些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素间化合物,而且它们的物理功能可以通过气相掺杂的淀积过程准确控制。化学气相淀积已成为无机合成化学的一个新领域。喷淋头尺寸:200×200mm,喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调。
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等离子体化学气相沉积原理及特点
原理是在高频或直流电场作用下,源气体电离形成等离子体,基体浸没在等离子体中或放置在等离子体下方,吸附在基体表面的反应粒子受高能电子轰击,结合键断裂成为活性粒子,化学反应生成固态膜。沉积时,基体可加热,亦可不加热。工艺过程包括气体放电、等离子体输运,气态物质激发及化学反应等。主要工艺参数有:放电功率、基体温度、反应压力及源气体成分。主要特点是可显著降低反应温度,已用于多种薄膜材料的制备。等离子体中的原子或分子被电子激发到激发态后,在返回到另一个能态时,伴随着这一过程所发射出来的光线。
等离子体增强化学气相沉积的主要过程
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等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应,从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。由于PECVD技术是通过应气体放电来制备薄膜的,有效地利用了非平衡等离子体的反应特征,从根本上改变了反应体系的能量供给方式。光学发射:光学发射光谱法(OES)是使用较为广泛的终点检测手段。一般说来,采用PECVD技术制备薄膜材料时,薄膜的生长主要包含以下三个基本过程:
首先,在非平衡等离子体中,电子与反应气体发生初级反应,使得反应气体发生分解,形成离子和活性基团的混合物;
其二,各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运,同时发生各反应物之间的次级反应;
然后,到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应,同时伴随有气相分子物的再放出。
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