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要问肖特基二极管与快恢复二极管的差别，以及为什么采购生产等都喜欢使用肖特基二极管的原因，那就是频率的高低不同，直接影响到应用当中的能源耗损，像ASEMI的肖特基二极管，其反向恢复时间已能缩短到5ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率
肖特基二极管正负
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要问肖特基二极管与快恢复二极管的差别，以及为什么采购生产等都喜欢使用肖特基二极管的原因，那就是频率的高低不同，直接影响到应用当中的能源耗损，像ASEMI的肖特基二极管，其反向恢复时间已能缩短到5ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率 。
肖特基二极管
优点：
1. 正向压降小 ： 通常0.4V左右
2. 反向恢复时间极短: 可达5纳秒
3. 大的正向电流: 1A---300A之间
缺点：
1.反向工作电压VR低: 通常200V以下
2.漏电流稍大些 : 仅有10mA
例1：B82-400
1.反向工作电压VRRM:40V
2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)
3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=5A
5.浪涌电流IFSM=100A(T=10ms)
例2：1N5817,1N5818,1N5819
1.反向工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V
2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)
3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)
4.整流电流IF=1A
5.浪涌电流IFSM=25A(T=10ms)
MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封装
元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：
MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装
MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装
MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封
TO-252,也就是贴片DPAK封装；TO-263,也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。
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