在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大，无法测量，导致不能得出的数值，从而不能保证广品的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积
1N金靶材厂
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的要求是苛刻的。另外一般的电阻测量仪器受温度和湿度的影响较大，无法测量，导致不能得出的数值，从而不能保证广品的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。区域提纯后的金属锗,其锭底表面上的电阻率为30～50欧姆厘米时，纯度相当于8～9，可以满足电子器件的要求。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，W/ Ti 合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al 、Cu 和Ag 等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易 氧化、易与周围的环境发生反应,与介质层的粘结性差,易扩散进入Si 与SiO2 等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与Si 的化合物, 充当了杂质的角色,使器件的性能大幅度下降。
贵重金属回收指的是从一些特定材料中回收有再利用价值的金属废料。许多珍贵金属回收服务企业采用的精练技术提取金，银，铂等金属。众所周知，靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关，随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进，靶材技术也应随之变化。这些程序可以从工业废料，电线中提取珍贵的非铁金属。黄金提炼回收服务应用于各种行业，包括航空航天，珠宝，，半导体和印刷电路板行业。
金属精炼能力可以包括熔炼和通过焚烧热还原。回收涉及从金属材料中分离贵重金属，其中一些材料可能包括催化剂，如电子组件或印刷电路板。为了更好的分离或清除金属，普遍采用水解或热解等程序。
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